FDS9956是一款由ON Semiconductor(安森美半导体)推出的高性能MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)器件,广泛用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关和电机控制等应用。该器件采用先进的Trench沟槽工艺,具有低导通电阻(RDS(on))和高效率的特性,适用于中高功率的电子系统。FDS9956封装形式为SO-8,适合表面贴装,具有良好的热性能和电气性能。
类型:N沟道MOSFET
最大漏极电流(ID):4.1A
最大漏源电压(VDS):30V
最大栅源电压(VGS):20V
导通电阻(RDS(on)):23mΩ @ VGS = 10V
导通电阻(RDS(on)):30mΩ @ VGS = 4.5V
功率耗散(PD):2.5W
工作温度范围:-55°C 至 150°C
封装类型:SO-8
FDS9956的主要特性在于其低导通电阻和高效率的功率处理能力,这使其成为高性能电源设计中的理想选择。其采用的Trench MOSFET技术显著降低了导通损耗,从而提高了系统的整体能效。此外,FDS9956在4.5V的栅极驱动电压下依然能够保持较低的RDS(on),这使得它兼容多种标准逻辑电平的驱动电路,无需额外的升压电路即可工作,从而简化了设计并降低了成本。器件的高电流承载能力和良好的热管理能力也使其适用于紧凑型高功率密度设计。FDS9956还具有良好的开关性能,能够在高频应用中保持较低的开关损耗,适用于开关电源(SMPS)和同步整流等场景。
FDS9956的封装形式为SO-8,这种小型化封装不仅节省空间,而且便于在PCB上布局和散热管理。此外,该器件具有较高的耐用性和稳定性,能够在恶劣的环境条件下可靠运行,适用于工业控制、消费电子、汽车电子等多种领域。其高可靠性也使其成为长寿命设备和关键系统中的优选组件。
FDS9956广泛应用于多个领域,包括但不限于:电源管理系统、DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动电路、电池供电设备、手持设备、服务器和通信设备的电源模块等。其优异的性能和小封装形式使其在便携式电子产品中尤为适用。
Si2302DS, FDN340P, FDV303N, TPS27081A