类型：N 沟道 MOSFET
　　漏极电流（Id）：5.3 A
　　漏极-源极击穿电压（Vds）：30 V
　　栅极-源极电压（Vgs）：±20 V
　　导通电阻（Rds(on)）：22 mΩ @ Vgs = 10 V
　　导通电阻（Rds(on)）：29 mΩ @ Vgs = 4.5 V
　　功率耗散（Pd）：2.5 W
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装类型：SO-8

FDS9466S 采用先进的 PowerTrench? 技术，这是一种优化的沟槽式 MOSFET 制造工艺，能够显著降低导通电阻并提高开关性能。该器件的低 Rds(on) 特性有助于减少导通损耗，从而提高整体系统效率。此外，FDS9466S 具有良好的热稳定性和较高的电流承载能力，适合在高功率密度设计中使用。
　　该 MOSFET 的 SO-8 封装形式提供了良好的散热性能和空间利用率，适用于表面贴装技术（SMT），便于自动化生产和小型化设计。FDS9466S 还具备较高的栅极电荷（Qg）和较低的输出电容（Coss），使其在高频开关应用中表现出色，有助于减少开关损耗。
　　在可靠性方面，FDS9466S 经过了严格的测试和验证，能够在各种恶劣环境下稳定工作，包括高温和高湿度条件。其栅极驱动电压范围为 4.5V 至 10V，兼容多种控制器和驱动电路。

FDS9466S 主要应用于各类电源管理系统中，包括同步整流器、DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统（BMS）、马达控制电路以及各种工业和消费类电子设备中的功率控制模块。其高效率和小尺寸封装使其成为便携式电子产品、服务器电源、通信设备和汽车电子系统中的理想选择。
　　在同步整流器中，FDS9466S 可用于替代传统二极管以提高转换效率；在 DC-DC 转换器中，它可作为主开关器件或同步整流开关，实现高效的能量转换；在负载开关应用中，它可以用于控制电源通断，实现快速开关和低损耗操作。

Si9466BDY, FDS9463S, FDS9435A, AO4466