时间：2025/8/24 9:09:31
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FDS9424-NL是一款由安森美半导体（ON Semiconductor）推出的高性能双N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），采用3引脚DFN封装。该器件专为高效率、低功耗应用设计，适用于电源管理、负载开关、DC-DC转换器以及电池供电设备等场景。
类型：双N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：20V
连续漏极电流（ID）：5.8A
栅源电压（VGS）：±12V
导通电阻（RDS(on)）：28mΩ @ VGS = 4.5V
功率耗散（PD）：1.5W
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装类型：DFN-3
FDS9424-NL具备低导通电阻，能够在高负载条件下保持较低的功率损耗，从而提高整体效率。其双N沟道结构允许在H桥或双向开关应用中灵活使用，非常适合用于同步整流和负载切换控制。
该器件的栅极驱动电压范围较宽，在2.5V至12V之间均可稳定工作，适合多种控制器和逻辑电平驱动器直接控制。此外，其DFN封装具有良好的热性能和空间节省优势，适用于高密度PCB布局。
在可靠性方面，FDS9424-NL具有高雪崩能量耐受能力，并通过了AEC-Q101汽车级认证，适用于对稳定性和耐久性要求较高的工业及车载应用。
FDS9424-NL广泛应用于各种中低功率电子系统中，包括但不限于移动设备电源管理、便携式充电器、LED驱动电路、DC-DC降压/升压转换器、电机控制电路以及智能电池管理系统等。
其优异的导通性能也使其成为负载开关和热插拔控制的理想选择。在消费类电子产品中，常用于智能手机、平板电脑、笔记本电脑以及无线耳机等设备的电源控制部分。
此外，在工业自动化和物联网设备中，FDS9424-NL可用于实现高效的能量管理，支持长时间运行和快速响应的电源切换功能。
Si2302DS, FDS6680, NVMFD5C434NLT1G
