时间：2025/7/10 1:39:46
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FDS8962C-NL 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用先进的半导体工艺制造。该器件具有低导通电阻、高开关速度和优异的热性能，适用于多种电源管理和电机驱动应用。其小型封装设计有助于节省电路板空间，同时保持高效能表现。
型号：FDS8962C-NL
类型：N 沟道增强型 MOSFET
封装：SOT-23
Vds（漏源极电压）：30V
Rds(on)（导通电阻）：150mΩ（典型值，Vgs=10V时）
Id（持续漏极电流）：2.8A
Qg（栅极电荷）：4nC（最大值）
fT（截止频率）：275MHz
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
FDS8962C-NL 提供了卓越的电气性能和可靠性。它具有低导通电阻 (Rds(on))，这可以显著降低传导损耗，提高系统效率。此外，该器件的高开关速度减少了开关损耗，使其非常适合高频应用。
FDS8962C-NL 的小型 SOT-23 封装不仅节省了 PCB 空间，还简化了布局设计。其良好的热稳定性和抗浪涌能力确保了在严苛环境下的可靠运行。另外，由于具备较低的输入电容和栅极电荷，驱动功耗得以减少，进一步优化了整体性能。
这款 MOSFET 广泛应用于便携式设备、消费类电子产品以及工业控制领域。具体应用场景包括但不限于：
- 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的同步整流
- 电池保护电路
- 手机和平板电脑中的负载开关
- 小功率电机驱动
- 信号切换与逻辑电平转换
- 各种过流和短路保护电路
FDS8962C, FDS8962
