时间：2025/9/14 20:35:56
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BUK9K12-60EX 是一款由 NXP Semiconductors（恩智浦半导体）生产的高性能 N 沟道功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件专为高效率电源转换和电机控制应用设计，具有低导通电阻、高耐压和优异的热性能。该 MOSFET 采用先进的工艺技术制造，确保在高电流和高频条件下仍能保持稳定运行。BUK9K12-60EX 封装在 LFPAK56（Power-SO8）封装中，具有良好的热管理和空间节省优势，适用于紧凑型设计。
类型：N 沟道 MOSFET
最大漏极电流（ID）：120 A
最大漏源电压（VDS）：60 V
导通电阻（RDS(on)）：1.2 mΩ（典型值）
栅极电荷（Qg）：140 nC
工作温度范围：-55°C 至 175°C
封装类型：LFPAK56（Power-SO8）
BUK9K12-60EX MOSFET 的主要特性之一是其极低的导通电阻（RDS(on)），仅为 1.2 mΩ，这有助于降低导通损耗，提高整体系统效率。这种低 RDS(on) 特性使其特别适用于高电流应用，如 DC-DC 转换器、电池管理系统和电动车辆的功率控制电路。
此外，该器件的最大漏极电流为 120 A，最大漏源电压为 60 V，能够承受较高的电压和电流应力，确保在高负载条件下稳定运行。其栅极电荷（Qg）为 140 nC，这有助于降低开关损耗，提高高频工作的效率。
BUK9K12-60EX 采用 LFPAK56（也称为 Power-SO8）封装，这种封装技术具有出色的热管理能力，能够有效将热量传导到 PCB（印刷电路板），从而提高器件的热稳定性和可靠性。该封装还具有良好的机械强度和抗热疲劳性能，适用于高温环境下的应用。
该 MOSFET 支持宽范围的工作温度（-55°C 至 175°C），确保其在极端温度条件下的可靠运行。这种宽温特性使其适用于汽车电子、工业电源和可再生能源系统等严苛环境中的应用。
BUK9K12-60EX MOSFET 广泛应用于各种高功率电子系统中。在汽车电子领域，它常用于电动车辆的电池管理系统（BMS）、车载充电器（OBC）以及电机控制器中，提供高效的功率控制和能量转换。在工业电源系统中，该器件适用于 DC-DC 转换器、服务器电源、不间断电源（UPS）和工业电机驱动器，确保在高负载条件下系统的稳定性和效率。此外，BUK9K12-60EX 还可用于太阳能逆变器、储能系统和功率因数校正（PFC）电路，支持可再生能源系统的高效运行。在消费类电子产品中，该 MOSFET 可用于高性能电源管理模块和大功率 USB-C 充电控制器，提供可靠的功率输出。
SiHF120N60E、IPB012N60AG、FDD120N60
