时间：2025/5/10 9:45:07
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FDS8936A-NL是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于各种开关和功率管理应用。该器件采用了先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度以及出色的热性能，使其非常适合于高效能的电源转换、电机驱动以及其他需要高性能功率开关的应用场景。
此器件采用SOT23-3封装形式，具备小尺寸和易于安装的特点，适合对空间要求较高的设计。
最大漏源电压：30V
最大栅源电压：±12V
连续漏极电流：1.9A
导通电阻（Rds(on)）：75mΩ（典型值，在Vgs=4.5V时）
栅极电荷：3nC（典型值）
输入电容：100pF（典型值）
开关时间：ton=10ns，toff=15ns（典型值）
工作结温范围：-55℃至+150℃
1. 极低的导通电阻Rds(on)，可有效降低功率损耗，提高系统效率。
2. 快速开关特性，支持高频操作，减少磁性元件的体积和成本。
3. 小型SOT23-3封装，节省PCB空间，便于在紧凑型设计中使用。
4. 高浪涌能力，能够承受瞬态大电流冲击，提升系统的可靠性。
5. 符合RoHS标准，绿色环保，适合现代电子产品的需求。
6. 广泛的工作温度范围，确保在极端环境下的稳定性能。
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流器和开关管。
2. DC-DC转换器中的功率开关。
3. 消费类电子产品的负载开关。
4. 便携式设备中的电池保护电路。
5. 电机驱动和小型家电控制。
6. 信号切换和逻辑电平转换等一般用途的开关应用。
FDS8936ANL, FDS8935A, SI2302DS, AO3400
