FDS8926A-NL是一款N沟道增强型功率MOSFET,采用PDFN33-3封装形式。该器件具有较低的导通电阻和较高的开关速度,适用于多种电源管理应用,如DC-DC转换器、负载开关、电机驱动以及电池保护电路等。
该MOSFET通过优化的芯片设计实现了出色的电气性能,并且具备良好的热稳定性和可靠性,能够满足消费电子、工业控制以及通信设备中的各种需求。
最大漏源电压:40V
最大栅源电压:±20V
连续漏极电流:5.1A
导通电阻(Rds(on)):15mΩ(在Vgs=10V时)
栅极电荷:1.9nC
开关速度:快速
工作结温范围:-55℃至+150℃
FDS8926A-NL采用了先进的制造工艺,使其具有以下特点:
1. 极低的导通电阻有助于减少导通损耗,提高整体效率。
2. 快速的开关速度可以降低开关损耗,适合高频应用。
3. 小型PDFN33-3封装节省了PCB空间,同时提供了良好的散热性能。
4. 高度稳定的电气参数确保了在不同环境条件下的可靠运行。
5. 具备较强的抗静电能力(ESD),提高了产品的鲁棒性。
该器件主要应用于需要高效功率切换的场景,包括但不限于:
1. 开关电源(SMPS)中的功率级开关。
2. DC-DC转换器的同步整流或主开关元件。
3. 消费类电子产品中的负载开关,例如智能手机和平板电脑。
4. 便携式设备的电池保护和管理电路。
5. 各种小型电机驱动和控制电路。
FDS8926A-NL凭借其卓越的性能表现,在这些领域中成为理想的解决方案。
FDS8926ANL, FDN340P