CXQ70116P-8 时间：2025/8/18 10:19:09 阅读：11

CXQ70116P-8是一种高压功率MOSFET晶体管，广泛应用于需要高电压和高电流的电力电子设备中。这种晶体管以其高效的开关性能和可靠性著称，特别适用于需要在高电压环境下运行的应用，如电源管理、电机控制和照明系统等。CXQ70116P-8的设计使其能够在恶劣的电气环境中稳定工作，同时提供良好的热管理和过载保护。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流：16A
　　最大漏极-源极电压：500V
　　导通电阻（Rds(on)）：0.35Ω
　　最大功耗：125W
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装类型：TO-220
　　栅极电荷：60nC

特性

CXQ70116P-8具有多项优良特性，包括高耐压能力和低导通电阻，这使其在高电压应用中能够保持较高的效率。其低导通电阻可以减少功率损耗，提高系统的整体效率，并有助于降低工作温度，从而延长器件的使用寿命。
　　此外，CXQ70116P-8采用了先进的制造工艺和封装技术，确保了其在高温和高湿度环境下的稳定性和可靠性。该晶体管还具有良好的热传导性能，能够在高负载条件下保持较低的温度上升，避免因过热而导致的性能下降或损坏。
　　另一个重要的特性是它的快速开关能力，这使得CXQ70116P-8非常适合用于高频开关应用，如开关电源、逆变器和马达控制器等。快速开关能力不仅可以提高系统的响应速度，还可以减少外部滤波元件的尺寸和成本。
　　最后，CXQ70116P-8还具有较强的抗过载和短路保护能力，能够在突发的过载或短路情况下保护电路不受损坏。这种内置的保护功能可以减少外部保护电路的设计复杂度，降低整体系统的成本。