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FDS8840NZ 发布时间 时间:2023/12/19 17:56:33 查看 阅读:137

类别:分离式半导体产品

目录

概述

类别:分离式半导体产品
家庭:MOSFET,GaNFET - 单
系列:PowerTrench?
FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点:逻辑电平门
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:4.5 毫欧 @ 18.6A, 10V
漏极至源极电压(Vdss):40V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18.6A
Id 时的 Vgs(th)(最大):3V @ 250μA
闸电荷(Qg) @ Vgs:144nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) :7535pF @ 20V
功率 - 最大:1W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:8-SOIC(3.9mm 宽)
包装:剪切带 (CT)

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FDS8840NZ参数

  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列PowerTrench®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)40V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C18.6A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C4.5 毫欧 @ 18.6A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs144nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds7535pF @ 20V
  • 功率 - 最大1W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SOICN
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称FDS8840NZTR