P6928BZPH 时间：2025/7/26 15:55:42 阅读：4

P6928BZPH 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）制造的功率MOSFET晶体管，主要用于高效能、高频率的功率转换应用。这款MOSFET采用先进的技术设计，具备低导通电阻、高开关速度和高可靠性，适用于电源管理、电机控制、电池充电器、DC-DC转换器等多种电子系统。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏极电流（ID）：80A
　　漏源电压（VDS）：60V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：10mΩ（典型值）
　　封装形式：PowerFLAT 5x6
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C

特性

P6928BZPH MOSFET具有多项优异性能和设计特点，首先，其低导通电阻（RDS(on)）确保了在导通状态下的功率损耗最小化，从而提高了整体系统的效率。此外，该器件的高电流承载能力（80A）使其适用于大功率应用，如电源供应器和电机驱动器。
　　其次，P6928BZPH采用了先进的PowerFLAT 5x6封装技术，具备优异的热管理性能，有助于提高器件在高功率密度应用中的稳定性。这种封装还提供了良好的焊接可靠性和便于散热设计的底部散热焊盘。
　　再者，器件支持高达±20V的栅源电压（VGS），提供了更高的栅极驱动灵活性，并减少了因栅极电压波动而导致误触发的可能性。这使得P6928BZPH在复杂的电源系统中具有更好的稳定性和可靠性。
　　最后，该MOSFET具有快速开关特性，适用于高频开关应用，能够减少开关损耗并提高系统响应速度。这些特性使其成为DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统和工业自动化控制电路中的理想选择。

应用

P6928BZPH广泛应用于多种功率电子系统，包括但不限于开关电源（SMPS）、DC-DC降压/升压转换器、电机驱动器、电池充电与管理系统（BMS）、光伏逆变器、UPS不间断电源、工业自动化控制系统以及汽车电子中的功率管理模块。其优异的导通性能和高电流能力也使其适用于需要高效能和紧凑设计的嵌入式电源系统。