时间：2025/4/30 16:37:08
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FDS86141 是一款 N 沣道通半导体生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适合用于各种高效能的电源管理应用。FDS86141 的封装形式为 TO-252 (DPAK)，能够承受较高的电流负载，同时具备出色的散热性能。
该功率 MOSFET 主要应用于 DC-DC 转换器、电机驱动、负载开关以及电池保护等场景中。
最大漏源电压：60V
最大栅极电压：±20V
持续漏极电流：3.9A
导通电阻：120mΩ（典型值，在 Vgs=10V 时）
总功耗：1.1W
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
FDS86141 具有以下显著特点：
1. 极低的导通电阻，有助于减少导通损耗并提高系统效率。
2. 快速的开关速度，可实现高效的高频操作。
3. 高雪崩能量能力，增强了器件在异常条件下的鲁棒性。
4. 符合 RoHS 标准，环保且满足国际法规要求。
5. 小巧的 DPAK 封装设计，节省 PCB 空间并提供良好的热传导性能。
FDS86141 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的功率开关。
2. 各类便携式电子设备中的负载开关。
3. 电池管理系统中的保护电路。
4. 小型电机驱动及控制。
5. 各种工业和消费类电子产品中的功率管理模块。
FDP5572, FDS86139
