FDS8449 是一款 N 沣道通 MOSFET (金属氧化物半导体场效应晶体管),属于逻辑电平驱动型器件。它采用了先进的沟槽工艺制造,具有低导通电阻和快速开关特性,适用于多种电源管理和功率转换应用。FDS8449 的漏源电压 Vds 为 30V,连续漏极电流 Id 高达 15A,适合在高频、高效能的电路中使用。
类型:N-Channel MOSFET
漏源电压 Vds:30V
连续漏极电流 Id:15A
栅极阈值电压 Vgs(th):1.5V ~ 2.5V
导通电阻 Rds(on):7mΩ(在 Vgs=10V 时)
总功耗 Pd:160W
工作温度范围:-55°C ~ 175°C
封装形式:TO-220
FDS8449 具有以下显著特性:
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),可降低功率损耗,提高系统效率。
2. 支持逻辑电平驱动,允许直接由微控制器或其他低电压信号源控制。
3. 快速开关速度,有助于减少开关损耗,特别适合高频应用。
4. 高雪崩击穿能量能力,增强了器件的可靠性。
5. 宽广的工作温度范围,能够适应恶劣的环境条件。
6. 符合 RoHS 标准,环保无铅设计。
FDS8449 广泛应用于各种需要高效功率切换的场合,包括但不限于:
1. 开关电源 (SMPS) 中的同步整流器。
2. DC-DC 转换器中的功率开关。
3. 电机驱动和控制电路。
4. 负载开关和电池保护电路。
5. 通信设备和工业自动化设备中的功率管理模块。
6. LED 驱动电路和背光调节电路。
FDP8449
IRLZ44N
AO3400
FDD8449