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FDS8449 发布时间 时间:2025/6/30 23:24:56 查看 阅读:3

FDS8449 是一款 N 沣道通 MOSFET (金属氧化物半导体场效应晶体管),属于逻辑电平驱动型器件。它采用了先进的沟槽工艺制造,具有低导通电阻和快速开关特性,适用于多种电源管理和功率转换应用。FDS8449 的漏源电压 Vds 为 30V,连续漏极电流 Id 高达 15A,适合在高频、高效能的电路中使用。

参数

类型:N-Channel MOSFET
  漏源电压 Vds:30V
  连续漏极电流 Id:15A
  栅极阈值电压 Vgs(th):1.5V ~ 2.5V
  导通电阻 Rds(on):7mΩ(在 Vgs=10V 时)
  总功耗 Pd:160W
  工作温度范围:-55°C ~ 175°C
  封装形式:TO-220

特性

FDS8449 具有以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),可降低功率损耗,提高系统效率。
  2. 支持逻辑电平驱动,允许直接由微控制器或其他低电压信号源控制。
  3. 快速开关速度,有助于减少开关损耗,特别适合高频应用。
  4. 高雪崩击穿能量能力,增强了器件的可靠性。
  5. 宽广的工作温度范围,能够适应恶劣的环境条件。
  6. 符合 RoHS 标准,环保无铅设计。

应用

FDS8449 广泛应用于各种需要高效功率切换的场合,包括但不限于:
  1. 开关电源 (SMPS) 中的同步整流器。
  2. DC-DC 转换器中的功率开关。
  3. 电机驱动和控制电路。
  4. 负载开关和电池保护电路。
  5. 通信设备和工业自动化设备中的功率管理模块。
  6. LED 驱动电路和背光调节电路。

替代型号

FDP8449
  IRLZ44N
  AO3400
  FDD8449

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FDS8449参数

  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列PowerTrench®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)40V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C7.6A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C29 毫欧 @ 7.6A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs11nC @ 5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds760pF @ 20V
  • 功率 - 最大1W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SOICN
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称FDS8449TR