类型：N 沟道 MOSFET
　　封装类型：SOP8 / PowerT7
　　漏源电压 Vds：30V
　　栅源电压 Vgs：±20V
　　连续漏极电流 Id（@25℃）：100A
　　导通电阻 Rds(on)（@Vgs=10V）：小于 1.7mΩ
　　导通电阻 Rds(on)（@Vgs=4.5V）：小于 2.5mΩ
　　工作温度范围：-55℃ ~ 150℃
　　功率耗散（Pd）：100W（最大）
　　输入电容（Ciss）：约 2000pF
　　上升时间（tr）：约 15ns
　　下降时间（tf）：约 10ns

FDS7764A 具有出色的电气性能和热性能，适用于高功率密度的设计。其主要特性包括：
　　1. **低导通电阻**：FDS7764A 在 Vgs=10V 时，Rds(on) 典型值小于 1.7mΩ，这显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了整体系统效率。在低栅极电压（如 4.5V）下，Rds(on) 仍能保持在较低水平（<2.5mΩ），适合使用低压驱动电路的应用场景。
　　2. **高电流能力**：该器件的连续漏极电流可达 100A（在 25℃下），能够支持高功率负载，如服务器电源、电机驱动和高功率 LED 驱动器。
　　3. **优化的开关性能**：FDS7764A 的上升时间（tr）和下降时间（tf）分别约为 15ns 和 10ns，使其在高频开关应用中表现出色，减少了开关损耗，提升了整体系统的动态响应能力。
　　4. **良好的热管理设计**：SOP8（PowerT7）封装具有优异的热传导性能，确保在高负载条件下也能保持较低的工作温度，延长器件的使用寿命。
　　5. **宽工作温度范围**：FDS7764A 的工作温度范围为 -55℃ 至 150℃，适合在极端环境条件下使用，如工业自动化设备和汽车电子系统。
　　6. **静电放电（ESD）保护**：该 MOSFET 内部集成了 ESD 保护结构，提高了器件在制造和使用过程中的抗静电能力。

FDS7764A 的高效率、低导通电阻和优异的热性能使其广泛应用于以下领域：
　　1. **DC-DC 转换器**：FDS7764A 可作为主开关或同步整流器，用于升压（Boost）或降压（Buck）转换器中，适用于服务器电源、笔记本电脑适配器等应用。
　　2. **负载开关**：在电池管理系统中，FDS7764A 可用于控制电池与负载之间的连接，实现快速通断和过流保护功能。
　　3. **电机驱动电路**：FDS7764A 的高电流能力和快速开关特性使其适合用于有刷直流电机或步进电机的驱动电路中。
　　4. **高功率 LED 驱动器**：该器件可作为开关元件用于 LED 背光或照明系统的驱动电路中，提供高效的能量转换。
　　5. **汽车电子系统**：FDS7764A 的宽工作温度范围和高可靠性使其适用于车载充电器、车灯控制模块和电池管理系统等应用。
　　6. **工业自动化设备**：FDS7764A 可用于工业控制系统的电源管理模块、伺服驱动器和传感器供电电路中。

FDMS7660, FDS4465, FDS4760, Si4460DY, IRF7467