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2SC5080ZD 发布时间 时间:2025/9/7 6:23:13 查看 阅读:5

2SC5080ZD 是一款NPN型高频晶体管,广泛用于射频(RF)和中频(IF)放大器应用。该晶体管采用TO-126封装,具有良好的高频响应和稳定性能,适合用于通信设备、音频放大器以及其他高频电路设计中。

参数

晶体管类型:NPN
  封装类型:TO-126
  最大集电极-发射极电压(VCEO):30V
  最大集电极电流(IC):150mA
  最大功耗(PD):400mW
  频率(fT):100MHz
  增益带宽积(fT):100MHz
  集电极-基极击穿电压(BVCBO):50V
  发射极-基极击穿电压(BVEBO):5V
  工作温度范围:-55°C ~ +150°C

特性

2SC5080ZD 的主要特性包括优异的高频性能、低噪声系数以及较高的电流增益。由于其TO-126封装具备良好的散热能力,因此在中功率放大应用中表现出色。该晶体管的增益带宽积达到100MHz,适用于需要宽频带响应的射频和中频放大器设计。此外,其较低的噪声系数使其在前置放大器和信号接收电路中表现出色,能够有效提高信号的信噪比。
  这款晶体管的电流增益(hFE)通常在110到800之间,根据不同的测试条件分为多个等级。这种灵活的增益特性使得2SC5080ZD 能够适应多种放大电路的需求,包括低噪声放大器(LNA)、中频放大器和射频功率放大器等。同时,其良好的温度稳定性保证了在不同工作环境下的可靠性。
  2SC5080ZD 还具备较强的抗干扰能力和较高的线性度,使其在模拟信号放大应用中表现出色。该晶体管的输入和输出阻抗特性也较为适中,便于与其他电路元件进行匹配,从而优化整体电路性能。

应用

2SC5080ZD 主要应用于射频放大器、中频放大器、音频前置放大器、信号接收器、通信设备、无线基站、测试仪器以及各类高频模拟电路设计中。其优异的性能使其成为许多高频电子系统中的关键组件。

替代型号

2SC5080, 2SC945, 2SC458, BC547

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