时间：2025/9/7 6:23:13
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2SC5080ZD 是一款NPN型高频晶体管，广泛用于射频（RF）和中频（IF）放大器应用。该晶体管采用TO-126封装，具有良好的高频响应和稳定性能，适合用于通信设备、音频放大器以及其他高频电路设计中。
晶体管类型：NPN
封装类型：TO-126
最大集电极-发射极电压（VCEO）：30V
最大集电极电流（IC）：150mA
最大功耗（PD）：400mW
频率（fT）：100MHz
增益带宽积（fT）：100MHz
集电极-基极击穿电压（BVCBO）：50V
发射极-基极击穿电压（BVEBO）：5V
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
2SC5080ZD 的主要特性包括优异的高频性能、低噪声系数以及较高的电流增益。由于其TO-126封装具备良好的散热能力，因此在中功率放大应用中表现出色。该晶体管的增益带宽积达到100MHz，适用于需要宽频带响应的射频和中频放大器设计。此外，其较低的噪声系数使其在前置放大器和信号接收电路中表现出色，能够有效提高信号的信噪比。
这款晶体管的电流增益（hFE）通常在110到800之间，根据不同的测试条件分为多个等级。这种灵活的增益特性使得2SC5080ZD 能够适应多种放大电路的需求，包括低噪声放大器（LNA）、中频放大器和射频功率放大器等。同时，其良好的温度稳定性保证了在不同工作环境下的可靠性。
2SC5080ZD 还具备较强的抗干扰能力和较高的线性度，使其在模拟信号放大应用中表现出色。该晶体管的输入和输出阻抗特性也较为适中，便于与其他电路元件进行匹配，从而优化整体电路性能。
2SC5080ZD 主要应用于射频放大器、中频放大器、音频前置放大器、信号接收器、通信设备、无线基站、测试仪器以及各类高频模拟电路设计中。其优异的性能使其成为许多高频电子系统中的关键组件。
2SC5080, 2SC945, 2SC458, BC547
