时间：2025/5/27 16:38:30
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FDS7096N3是Fairchild（现为ON Semiconductor）生产的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用了先进的工艺技术，具有低导通电阻和高开关速度的特点，非常适合用于要求高效能和低损耗的应用场景。
此MOSFET的主要特点是其额定电压为60V，能够承受较高的漏源电压，同时具备较低的导通电阻，从而减少功率损耗并提高效率。此外，它还具有良好的热稳定性和可靠性，适用于各种工业和消费类电子产品。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：24A
导通电阻：8.5mΩ
栅极电荷：31nC
总电容：1040pF
工作温度范围：-55℃ to +150℃
FDS7096N3是一款高性能的N沟道功率MOSFET，主要特性包括：
1. 额定电压为60V，适合中等电压应用。
2. 极低的导通电阻（8.5mΩ），可显著降低导通损耗。
3. 高电流处理能力（24A连续漏极电流），确保在高负载条件下的稳定运行。
4. 快速开关速度，得益于低栅极电荷设计，有助于减少开关损耗。
5. 宽工作温度范围（-55℃至+150℃），适应多种环境条件。
6. 小型封装选项，便于PCB布局和空间优化。
这些特点使得FDS7096N3成为电源管理、电机驱动和DC-DC转换器等应用的理想选择。
FDS7096N3广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流和功率因数校正（PFC）。
2. 电机驱动电路，用于控制步进电机、直流无刷电机等。
3. DC-DC转换器，特别是在降压或升压拓扑中发挥关键作用。
4. 电池管理系统（BMS），用于保护和管理锂离子电池组。
5. 各种消费类电子产品中的负载开关和保护电路。
由于N3特别适合需要紧凑设计和低功耗的应用场景。
FDP7096N3, IRF7832, STP70NF06L
