FDS7064N-NL 时间：2025/8/25 3:29:10 阅读：11

FDS7064N-NL是一款由ON Semiconductor生产的高性能N沟道增强型功率MOSFET。该器件适用于需要高效率和高可靠性的电源管理系统，广泛用于DC-DC转换器、负载开关、马达控制以及电池供电设备中。FDS7064N-NL采用了先进的Trench沟槽工艺，具备低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性，能够在较高的温度环境下稳定工作。其封装形式为SO-8，符合RoHS环保标准，适合表面贴装。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏极-源极电压(Vds)：60V
　　漏极电流(Id)：10A
　　导通电阻(Rds(on))：0.025Ω（在Vgs=10V时）
　　栅极-源极电压(Vgs)范围：±20V
　　功耗(Pd)：2.5W
　　工作温度范围：-55°C至175°C
　　封装形式：SO-8

特性

FDS7064N-NL具有多项优异的电气和热性能。首先，其低导通电阻可显著降低导通损耗，提高系统效率。在VGS为10V时，RDS(on)仅为0.025Ω，适用于高电流负载应用。其次，该MOSFET的沟槽结构优化了开关性能，使得开关损耗更低，适合高频开关应用。栅极电荷(Qg)较低，有助于减少驱动电路的负担，提高响应速度。
　　此外，FDS7064N-NL具备出色的热稳定性，在高温环境下仍能保持良好的导通性能，适用于紧凑型设计或高环境温度的应用场景。该器件的封装形式为SO-8，具备良好的散热能力，同时支持表面贴装工艺，提高了生产效率和可靠性。FDS7064N-NL还具备较高的耐用性，能够承受较大的电流冲击和电压波动，适用于要求稳定运行的工业和消费类电子产品。

应用

FDS7064N-NL广泛应用于多个领域。在电源管理系统中，它常用于同步整流DC-DC转换器、负载开关和电机控制模块。由于其低导通电阻和良好的热性能，该MOSFET在电池供电设备如笔记本电脑、平板电脑和移动电源中也有广泛应用。此外，FDS7064N-NL还可用于汽车电子系统中的电机控制和配电模块，确保在复杂工况下的稳定运行。在工业自动化设备中，该器件用于驱动继电器、电磁阀和传感器等负载，提供高效可靠的功率控制。