AP09N50I-HF是一款由Advanced Power Technology(简称APEC)设计的N沟道增强型功率MOSFET。该器件适用于高电压和高电流的应用场景,具有较低的导通电阻和快速的开关特性,能够提供高效能的功率转换表现。其500V的漏极-源极击穿电压(VDS)使其非常适合用于电源、马达控制、DC-DC转换器以及各种功率电子系统中。
类型: N沟道增强型MOSFET
漏极-源极击穿电压(VDS): 500V
栅极-源极电压(VGS): ±30V
漏极连续电流(ID): 9A
工作温度范围: -55°C 至 150°C
导通电阻(RDS(on)): 0.75Ω(最大值)
封装类型: TO-220
功率耗散(PD): 125W
输入电容(Ciss): 620pF(典型值)
AP09N50I-HF具备低导通电阻的特点,这有助于降低功率损耗,提高系统效率。此外,该MOSFET的快速开关特性减少了开关损耗,使其适用于高频应用。该器件还具有优异的热稳定性和较高的耐用性,能够在苛刻的环境条件下可靠运行。其封装形式为TO-220,便于散热,同时兼容标准的PCB安装工艺。
在栅极驱动方面,AP09N50I-HF支持±30V的栅极-源极电压,使其在高电压应用中具备良好的鲁棒性。此外,它具有较高的抗静电能力和过载能力,为功率系统提供了更高的可靠性保障。
AP09N50I-HF广泛应用于各种功率电子设备,包括开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、逆变器、马达控制电路、UPS系统以及工业自动化设备。由于其高耐压特性和高效能表现,该器件也常用于太阳能逆变器、电池管理系统和家用电器等消费类电子领域。此外,AP09N50I-HF还可用于高电压负载开关和功率因数校正(PFC)电路,为各种高电压应用场景提供可靠的功率控制解决方案。
AP10N50I-HF, FQP9N50C, IRF840, STP9NK50Z