AP09N50I-HF 时间：2025/8/2 1:43:57 阅读：29

AP09N50I-HF是一款由Advanced Power Technology（简称APEC）设计的N沟道增强型功率MOSFET。该器件适用于高电压和高电流的应用场景，具有较低的导通电阻和快速的开关特性，能够提供高效能的功率转换表现。其500V的漏极-源极击穿电压（VDS）使其非常适合用于电源、马达控制、DC-DC转换器以及各种功率电子系统中。

参数

类型: N沟道增强型MOSFET
　　漏极-源极击穿电压(VDS): 500V
　　栅极-源极电压(VGS): ±30V
　　漏极连续电流(ID): 9A
　　工作温度范围: -55°C 至 150°C
　　导通电阻(RDS(on)): 0.75Ω（最大值）
　　封装类型: TO-220
　　功率耗散(PD): 125W
　　输入电容(Ciss): 620pF（典型值）

特性

AP09N50I-HF具备低导通电阻的特点，这有助于降低功率损耗，提高系统效率。此外，该MOSFET的快速开关特性减少了开关损耗，使其适用于高频应用。该器件还具有优异的热稳定性和较高的耐用性，能够在苛刻的环境条件下可靠运行。其封装形式为TO-220，便于散热，同时兼容标准的PCB安装工艺。
　　在栅极驱动方面，AP09N50I-HF支持±30V的栅极-源极电压，使其在高电压应用中具备良好的鲁棒性。此外，它具有较高的抗静电能力和过载能力，为功率系统提供了更高的可靠性保障。

应用

AP09N50I-HF广泛应用于各种功率电子设备，包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、逆变器、马达控制电路、UPS系统以及工业自动化设备。由于其高耐压特性和高效能表现，该器件也常用于太阳能逆变器、电池管理系统和家用电器等消费类电子领域。此外，AP09N50I-HF还可用于高电压负载开关和功率因数校正（PFC）电路，为各种高电压应用场景提供可靠的功率控制解决方案。