IXRP15N120 时间：2025/8/6 7:32:27 阅读：24

IXRP15N120 是由 IXYS 公司生产的一款高电压、高功率 N 沟道 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于需要高耐压和高电流能力的电力电子系统中。该器件具有较高的导通性能和较低的开关损耗，适用于电源转换、电机驱动、不间断电源（UPS）和工业控制等领域。其主要特点是具备良好的热稳定性和可靠性，能够在高温环境下稳定工作。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：1200V
　　最大漏极电流（ID）：15A
　　最大导通电阻（RDS(on)）：1.2Ω（典型值）
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：4.5V ~ 6.5V
　　最大栅极电压（VGS）：±20V
　　最大功耗（PD）：83W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：TO-247

特性

IXRP15N120 采用先进的沟槽栅极技术和优化的硅芯片设计，实现了较低的导通电阻和高效的电流传输能力。该 MOSFET 在高压应用中表现出优异的开关性能，能够有效降低开关损耗，提高系统效率。
　　此外，该器件具有良好的热管理能力，能够在高功率工作条件下保持稳定的性能。其高耐压特性使其适用于各种高压电源转换器和逆变器应用。
　　该 MOSFET 的封装设计便于安装和散热，支持多种 PCB 安装方式，适用于工业自动化设备、电机驱动系统和可再生能源系统等应用场景。其封装结构还具有良好的机械强度和耐久性，适合在恶劣环境中使用。

应用

IXRP15N120 常用于各种高压电力电子设备中，如交流-直流（AC-DC）转换器、直流-直流（DC-DC）转换器、直流-交流（DC-AC）逆变器、不间断电源（UPS）、电机控制驱动器和工业自动化设备等。
　　在可再生能源领域，该器件可应用于太阳能逆变器、风力发电变流器等系统中，用于实现高效的能量转换和控制。
　　在工业控制方面，IXRP15N120 可用于高功率电机驱动、变频器和电焊设备等应用，提供可靠的功率控制和高效的能量管理。
　　由于其优异的高压特性和良好的热稳定性，该器件也适用于各种高压测试设备和电力质量管理系统。