FDS6990-NL是一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于电源管理、电机驱动、负载开关以及其他需要高效功率转换的场景。该器件采用先进的制造工艺,具有较低的导通电阻和较高的电流处理能力,能够显著提高系统的效率并降低功耗。
FDS6990-NL在设计上优化了动态性能和热稳定性,使其非常适合于高频率开关应用以及需要快速切换的电路环境。其封装形式通常为TO-252(DPAK),这有助于提高散热性能,同时节省PCB空间。
最大漏源电压:60V
最大栅源电压:±20V
持续漏极电流:40A
导通电阻:1.8mΩ(典型值,Vgs=10V)
栅极电荷:38nC(典型值)
开关时间:ton=10ns,toff=18ns(典型值)
工作结温范围:-55℃至+175℃
1. 极低的导通电阻Rds(on),有助于减少传导损耗,提升系统效率。
2. 快速开关速度,适合高频开关应用。
3. 高雪崩能量能力,增强了器件的鲁棒性和可靠性。
4. 符合RoHS标准,环保且满足现代工业规范。
5. 封装紧凑,便于在空间受限的设计中使用。
6. 热稳定性强,能够在极端温度条件下保持性能。
1. 开关电源(SMPS)中的同步整流器。
2. DC-DC转换器中的功率开关。
3. 电池保护和管理系统(BMS)。
4. 汽车电子中的负载开关和电机驱动。
5. 工业控制设备中的功率调节和保护。
6. 家用电器中的功率转换模块。
FDP6990NL, FDS6990N