时间：2025/8/24 15:15:59
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FDS6987S是一款由Fairchild Semiconductor（飞兆半导体）制造的双N沟道功率MOSFET芯片，采用先进的PowerTrench?技术，旨在提供高效的开关性能和较低的导通电阻。该器件适用于多种高效率电源管理应用，如同步整流、负载开关和DC-DC转换器等。FDS6987S采用紧凑的8引脚SOIC封装，适合空间受限的设计需求，同时具备良好的热性能，确保在高负载条件下稳定运行。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：30V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：5.9A（@VGS=10V）
导通电阻（RDS(on)）：19mΩ（@VGS=10V）
栅极电荷（Qg）：10nC（典型值）
封装类型：8-SOIC
工作温度范围：-55°C至150°C
FDS6987S采用了先进的PowerTrench?技术，该技术通过优化沟槽结构和减少寄生电容，实现了更低的导通电阻（RDS(on)）和更快的开关速度。这种优化不仅提高了器件的导电性能，还显著降低了开关损耗，从而提升了整体系统效率。此外，该MOSFET具有优异的热稳定性，在高负载条件下仍能保持较低的工作温度，确保长期运行的可靠性。
FDS6987S的双N沟道结构使其非常适合用于同步整流应用，特别是在DC-DC转换器中，可以显著提高转换效率并减少能量损耗。其低栅极电荷（Qg）特性也有助于降低驱动损耗，提高高频开关应用中的性能表现。此外，该器件的紧凑封装设计使其在空间受限的应用中具有更高的集成度，同时不影响其热管理能力。
FDS6987S广泛应用于多种电源管理领域，包括但不限于同步整流、负载开关、DC-DC转换器以及便携式电子设备的电源管理系统。其低导通电阻和高效能特性使其成为高性能电源设计的理想选择，特别是在需要高效率和小尺寸解决方案的应用场景中。
FDS6987S的替代型号包括FDV304P、FDS6680、Si3442CDV-T1-GE3等。这些器件在性能和封装上具有相似特性，适用于类似的应用场景。
