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STM32F400CBT6 发布时间 时间:2024/4/23 14:08:11 查看 阅读:176

STM32F400CBT6是基于高性能Arm?Cortex-M4的32位RISC内核,工作频率高达100MHz。Cortex-M4内核有一个单精度浮点计算单元(FPU),支持所有Arm单精度数据处理指令和数据类型。它还有一套完整的DSP指令集和一个存储器保护单元(MPU),提高了应用安全性。STM32F400CBT6属于STM32Dyamicefficicy产品系列(产品集成了功率效率、性能和集成度),增加了一种叫做批量采集模式(BAM)的创新功能,可以进一步降低功耗。STM32F400CBT6是一种集成了高速内置存储器、Flash存储器和SRAM的容量,分别高达128K字节和3K字节。

基础介绍

  厂商型号:STM32F400CBT6

  品牌名称:ST(意法半导体)

  元件类别:MCU

  封装规格:LQFP-48

特点

  Dynamic Efficiency系列采用eam(增强型

  批采集模式)

  - 1.7 v至3.6 v电源

  - -40℃至85℃温度范围

  内核:带有FPU的ARM32位Cortex-M4

  CPU,允许在Flash存储器中实现零等待状态运

  行性能的自适应实时加速器(艺术

  加速器),内存保护单元,主频高达

  100MHz,能够实现高达

  125 MHz (Dhrystone dmips / 1.25 dmips / 2.1)

  的性能,具有dsp指令集。

  存储器

  —最大128kb Flash

  - 512字节的otp存储器

  - 32 KB sram

  时钟,复位和电源管理

  - 1.7 v到3.6 v供电和I/O

  —por, pdr, pvd和bor

  - 4至26mhz晶振

  —内置经工厂调校的16 MHz RC振荡器

  -带校准功能的32 kHz RTC振荡器

  -内置带校准功能的32 kHz RC振荡器

  功耗

  —运行:89μA/MHz(外设关)

  -停止(Flash处于停止模式,快唤醒时

  间):40μa典型值@ 25°c;最大49μa @

  25°C

  -停止(Flash处于深掉电模式,慢唤醒时

  间):低至6μa @ 25°c;最大14μa @

  25°C

  -待机:2.4μa @25°c / 1.7 v,无rtc;

  12μa @85°c @1.7 v

  —vbat为rtc供电:1μa @25°c

  1个12位2.4 MSPS adc:多达16个通道

  1个12位d / a转换器

  通用dma:具有fifo和突发支持的16路dma控制

  器

  多达9个定时器

  - 1个低功耗定时器(停止模式下可提供)

  - 1个16位高级

  电机控制定时器

  -三个16位通用定时器

  —一个32位定时器(频率高达100MHz),具

  有多达4个ic / oc / pwm或脉冲计数器和正交

  (增量)编码器输入

  - 2个看门狗定时器(独立看门狗和窗口看门

  狗)

  —SysTick定时器。

  调试模式

  -串行线调试(swd)和jtag接口

  - Cortex- m4嵌入式跟踪宏单元

  多达50个具有中断功能的i / o端口

  —高达45个快速I/O,最高100mhz

  -高达49个可耐5 v的i / o

  多达9个通信接口

  -多达3个i

  2 . 2C接口(SMBus/PMBus),包括

  个快速模式i

  2 c (1 MHz)

  -多达3个USART(2 x 12.5 Mbit/s,

  1 x 6.25 Mbit/s),ISO 7816接口,LIN,

  IrDA,调制解调器控制)

  —多达3个SPI/I2S(高达50Mbit/s SPI或

  i2s音频协议)

  真随机数发生器

  CRC计算单元

  96位唯一id

  rtc:亚秒级精度,硬件日历

  所有封装均为ecopack

原理图

STM32F400CBT6原理图

STM32F400CBT6原理图

引脚

STM32F400CBT6原理图

STM32F400CBT6引脚图

封装

STM32F400CBT6封装图

STM32F400CBT6封装

丝印

STM32F400CBT6丝印图

STM32F400CBT6丝印

料号解释

STM32F400CBT6料号解释图

STM32F400CBT6料号解释

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