FDS6982A 时间：2025/8/25 5:09:49 阅读：18

FDS6982A 是一款由 Fairchild（飞兆半导体，现为安森美半导体的一部分）生产的双通道 N 沟道 PowerTrench MOSFET。该器件采用先进的沟槽工艺，具有低导通电阻、高功率密度和良好的热性能，适用于高效率电源管理应用，如 DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统和电机控制电路等。FDS6982A 封装小巧，通常为 8 引脚 SOIC 封装，适合空间受限的设计。

参数

类型：双通道 N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（VDS）：30V
　　连续漏极电流（ID）@25℃：7A
　　导通电阻（RDS(on)）：@4.5V VGS：19mΩ；@2.5V VGS：26mΩ
　　栅极电荷（Qg）：9.3nC
　　工作温度范围：-55℃ ~ 150℃
　　封装形式：8-SOIC

特性

FDS6982A 的主要特性之一是其采用 PowerTrench 技术，显著降低了导通电阻（RDS(on)），从而减少了导通损耗并提高了系统效率。
　　该器件的双通道设计使其能够在单个封装中实现两个独立的 MOSFET 开关，节省了 PCB 面积并简化了电路布局。
　　此外，FDS6982A 具有良好的热性能，能够在高负载条件下保持稳定运行，适合在高功率密度应用中使用。
　　其栅极驱动电压范围较宽，支持 2.5V 至 4.5V 的栅极驱动，适用于多种控制电路，包括低电压数字控制器。
　　由于其低栅极电荷（Qg），FDS6982A 在高频开关应用中表现出色，有助于降低开关损耗，提高整体能效。
　　器件还具备良好的耐用性和可靠性，适用于工业和汽车电子系统中对稳定性要求较高的场景。

应用

FDS6982A 主要用于 DC-DC 转换器和同步整流器，以提高电源转换效率。
　　在负载开关应用中，它可用于控制电源路径，实现快速开启和关闭，同时减少静态电流损耗。
　　该器件也广泛应用于电池管理系统（BMS）中，用于电池充放电控制和保护电路。
　　在电机控制和驱动电路中，FDS6982A 可用于 H 桥结构或半桥驱动，提供高效的功率控制。
　　此外，它也适用于便携式电子产品、电源管理模块、服务器和通信设备中的功率开关和电源分配系统。