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FDS6975 发布时间 时间:2025/12/24 2:56:32 查看 阅读:23

FDS6975是一款由Fairchild(现为ON Semiconductor)生产的N沟道增强型MOSFET。该器件采用先进的工艺制造,具有较低的导通电阻和较高的电流处理能力,适用于高频开关应用以及功率转换电路。
  这种MOSFET在便携式设备、计算机外设、电机驱动器、DC-DC转换器等应用中表现优异,能够提供高效的功率管理解决方案。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:21A
  导通电阻:4.5mΩ
  栅极电荷:38nC
  开关速度:快
  功耗:低

特性

FDS6975的主要特点是其超低的导通电阻(Rds(on)),这有助于降低传导损耗并提高整体效率。此外,它还具有快速的开关速度,可减少开关损耗,非常适合高频应用。
  FDS6975采用了PowerTrench技术,从而显著提升了器件的性能,例如更低的热阻和更高的可靠性。同时,其紧凑的封装设计使其易于集成到各种电子系统中。

应用

FDS6975广泛应用于多种领域,包括但不限于以下场景:
  - 笔记本电脑及平板电脑中的电源管理
  - 手机和其他便携式设备的充电器模块
  - DC-DC转换器中的同步整流
  - 小型电机驱动器
  - 多种消费类电子产品的开关电源
  由于其出色的电气特性和物理尺寸,该器件在空间受限的应用中尤为适用。

替代型号

FDP5800
  FDMQ8205
  IRLB8748

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FDS6975参数

  • 产品培训模块High Voltage Switches for Power Processing
  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 阵列
  • 系列PowerTrench®
  • FET 型2 个 P 沟道(双)
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C6A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C32 毫欧 @ 6A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs20nC @ 5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1540pF @ 15V
  • 功率 - 最大900mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SOICN
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称FDS6975TR