时间：2025/7/3 23:31:53
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FDS6961-NL是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），由Fairchild Semiconductor（现为ON Semiconductor）生产。该器件广泛应用于需要高效开关和低导通电阻的场景中，例如DC-DC转换器、负载开关、电机驱动以及各种电源管理应用。其出色的电气特性和封装设计使其成为高性能功率管理的理想选择。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：38A
导通电阻：2.5mΩ
栅极电荷：14nC
开关速度：快速
封装类型：TO-220
工作温度范围：-55℃至175℃
FDS6961-NL具有非常低的导通电阻（Rds(on)），仅为2.5mΩ，这使得它在高电流应用中能够显著降低功耗并提高效率。
该器件还具备较高的连续漏极电流能力，可以达到38A，非常适合大功率应用环境。
此外，其快速开关性能和较低的栅极电荷进一步优化了动态性能，减少了开关损耗。
FDS6961-NL采用TO-220封装，这种封装形式提供了良好的散热性能，同时易于集成到各种电路设计中。
工作温度范围宽广，能够在极端环境下稳定运行，确保了其在工业及汽车领域的可靠性。
FDS6961-NL适用于多种功率电子应用场景，包括但不限于以下领域：
1. DC-DC转换器中的主开关或同步整流元件。
2. 各类负载开关设计，用于实现高效的电源路径管理。
3. 电机驱动电路中的功率级控制。
4. 开关电源（SMPS）中的功率开关元件。
5. 工业自动化设备中的功率控制模块。
6. 汽车电子系统中的高可靠性功率管理组件。
FDP6961, IRFZ44N, STP55NF06L
