时间：2025/6/3 9:06:50
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FDS6930A-NL 是一款由 Fairchild Semiconductor（现已被 ON Semiconductor 收购）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用 SO-8 封装，适用于高效率、高频开关应用场合。
这款功率 MOSFET 主要用于电源管理领域，包括 DC-DC 转换器、同步整流电路以及负载开关等场景，能够显著提升系统效率并降低功耗。
最大漏源电压：40V
连续漏极电流：15A
导通电阻（Rds(on)）：2.7mΩ（典型值，当 Vgs=10V 时）
栅极电荷：21nC（典型值）
输入电容：1350pF（典型值）
工作结温范围：-55°C 至 +150°C
FDS6930A-NL 的主要特性如下：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于减少导通损耗，提高整体效率。
2. 高速开关性能，得益于其较低的栅极电荷和优化的输出电容设计。
3. 较高的连续漏极电流能力，适合大电流应用。
4. 紧凑的 SO-8 封装形式，便于 PCB 布局设计，同时具有良好的散热性能。
5. 符合 RoHS 标准，环保且可靠性高。
6. 提供了较高的雪崩击穿能力和抗静电能力，增强了器件的鲁棒性。
FDS6930A-NL 适用于以下应用场景：
1. 开关电源（SMPS）中的主开关管或同步整流管。
2. 降压或升压 DC-DC 转换器的核心功率元件。
3. 电池供电设备中的负载开关或保护电路。
4. 工业控制及汽车电子领域的驱动电路。
5. 多种需要高性能功率 MOSFET 的便携式电子产品中，如笔记本电脑适配器、平板充电器等。
FDS6931A-NL, IRF7843PbF, AO3400A
