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FDS6694 发布时间 时间:2025/6/3 9:05:39 查看 阅读:5

FDS6694 是一款N沟道增强型功率MOSFET,采用先进的制造工艺设计。该器件适用于高频开关电源、DC-DC转换器、电机驱动和负载开关等应用场合。其出色的导通电阻和开关性能使其成为高效能功率转换的理想选择。
  这款MOSFET具有低导通电阻特性,能够有效减少功耗并提高系统效率。同时,它还具备较高的雪崩击穿能力,增强了在异常工作条件下的可靠性。

参数

最大漏源电压:60V
  最大栅源电压:±20V
  连续漏极电流:13A
  导通电阻(典型值):5.5mΩ
  栅极电荷:8nC
  反向恢复时间:6ns
  结温范围:-55℃至175℃

特性

FDS6694采用了Fairchild的PowerTrench技术,这种技术使得器件具备以下特点:
  1. 极低的导通电阻,从而降低传导损耗。
  2. 快速的开关速度,有助于提高工作效率并减少开关损耗。
  3. 较高的雪崩击穿能量,提升了在过载或短路情况下的耐用性。
  4. 紧凑的封装形式,适合高密度电路板布局。
  FDS6694还具有较低的输入和输出电容,进一步优化了开关性能。

应用

由于其优异的电气特性和紧凑的封装形式,FDS6694广泛应用于以下几个领域:
  1. 开关电源中的同步整流器。
  2. 降压和升压DC-DC转换器。
  3. 各类电机驱动应用。
  4. 笔记本电脑和其他便携式电子设备中的负载开关。
  5. LED照明驱动电路。
  这些应用场景充分利用了FDS6694的低导通电阻和快速开关能力,以实现更高的效率和更小的解决方案尺寸。

替代型号

FDP5580
  FDP5582
  IRF7742
  AO3402

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FDS6694参数

  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列PowerTrench®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C12A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C11 毫欧 @ 12A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs19nC @ 5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1293pF @ 15V
  • 功率 - 最大1.2W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SOICN
  • 包装带卷 (TR)