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FDS6690AS-NL 发布时间 时间:2025/5/8 15:36:29 查看 阅读:3

FDS6690AS-NL 是一款由 Fairchild Semiconductor(现为 ON Semiconductor)生产的 N 沟道增强型 MOSFET。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和快速开关特性,适用于高频开关电源、DC-DC 转换器以及电机驱动等应用。其封装形式为 SO-8,能够提供卓越的热性能和电气性能。
  FDS6690AS-NL 的设计目标是为功率转换系统提供高效、可靠的解决方案,同时减少功率损耗并提升整体效率。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:15A
  导通电阻(典型值):4.5mΩ
  栅极电荷(典型值):29nC
  反向恢复时间:25ns
  工作结温范围:-55℃ 至 +175℃
  封装形式:SO-8

特性

FDS6690AS-NL 具有以下主要特性:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),在 4.5V 栅极驱动电压下典型值为 4.5mΩ,有助于降低导通损耗。
  2. 快速开关能力,栅极电荷较低(Qg=29nC),适合高频应用。
  3. 高电流处理能力,连续漏极电流可达 15A。
  4. 宽工作温度范围,从 -55℃ 到 +175℃,适应各种严苛环境。
  5. 小型 SO-8 封装,便于 PCB 布局设计,同时具备良好的散热性能。
  6. 符合 RoHS 标准,环保且易于集成到现代电子设备中。
  这些特性使得 FDS6690AS-NL 成为高效率功率管理应用的理想选择。

应用

FDS6690AS-NL 广泛应用于以下领域:
  1. 开关模式电源 (SMPS),包括 AC-DC 和 DC-DC 转换器。
  2. 计算机及外设中的同步整流电路。
  3. 电信设备中的功率转换模块。
  4. 工业控制中的电机驱动与逆变器。
  5. 消费类电子产品中的电池充电器和适配器。
  6. LED 照明驱动电路。
  由于其高效的功率处理能力和快速开关特性,该器件在需要高频率、低损耗的场合表现尤为突出。

替代型号

FDS6690A
  FDP6690
  IRF6690

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