FDS6690A-NL 是一款N沟道增强型功率MOSFET,采用TO-252(DPAK)封装形式。该器件主要用于低压开关应用中,具有较低的导通电阻和较高的开关速度,适用于各种消费电子、工业控制和通信设备中的电源管理电路。其出色的性能使其成为驱动电机、DC-DC转换器和负载开关的理想选择。
FDS6690A-NL 的设计旨在优化效率并减少能量损耗,同时具备良好的热特性和耐用性。通过先进的制造工艺,该器件在高频工作条件下仍能保持稳定性能。
最大漏源电压:40V
最大栅源电压:±20V
持续漏极电流:7.8A
导通电阻:18mΩ
栅极电荷:3.9nC
开关时间:典型开启时间12ns,典型关闭时间15ns
工作结温范围:-55℃至+150℃
FDS6690A-NL 具有低导通电阻(Rds(on)),这有助于降低功耗并提高系统效率。此外,该器件还具有快速开关特性,能够有效减少开关损耗,从而提升整体性能。
该功率MOSFET采用了先进的硅片技术,确保了其在高温环境下仍能可靠运行。其封装形式也经过优化,能够有效地将热量散发到PCB板上,从而进一步提高了散热能力。
FDS6690A-NL 还具备高雪崩能力和抗静电能力,这些特性保证了器件在异常条件下的耐用性和稳定性。
FDS6690A-NL 广泛应用于多种领域,包括但不限于以下场景:
1. 开关模式电源(SMPS)中的同步整流
2. 便携式电子设备中的负载开关
3. DC-DC转换器
4. 电池保护电路
5. 电机驱动电路
6. 工业自动化中的信号切换
由于其优异的性能和可靠性,这款MOSFET特别适合需要高效能和高稳定性的应用场景。
FDS6690ANL, FDS6690A