类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压 Vds：30 V
　　栅源电压 Vgs：±20 V
　　连续漏极电流 Id：6.0 A（@25°C）
　　导通电阻 Rds(on)：70 mΩ（@Vgs=10V）
　　功耗 PD：2.0 W
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装形式：TO-220AB、D2PAK（表面贴装）

FDS6690A-NL 具有多个优异的电气特性，使其在功率应用中表现出色。
　　首先，该 MOSFET 的低导通电阻 Rds(on) 仅为 70 mΩ，在高电流工作条件下可显著降低导通损耗，提高系统效率。
　　其次，其最大漏源电压为 30 V，能够满足多种中低压功率转换应用的需求，例如同步整流、电池充电和负载开关等。
　　此外，FDS6690A-NL 采用先进的沟槽式 MOSFET 技术，具有较高的开关速度和较低的栅极电荷（Qg），有助于减少开关损耗，提高系统的动态响应能力。
　　该器件的热稳定性良好，能够在较高的工作温度下保持稳定性能，适用于高功率密度的设计场景。
　　封装方面，FDS6690A-NL 提供 TO-220AB 和 D2PAK 两种形式，其中 D2PAK 适用于表面贴装工艺，有助于提高 PCB 的空间利用率和自动化生产效率。

FDS6690A-NL 主要应用于各类中低压功率转换系统中，如 DC-DC 转换器、同步整流器、电机驱动器和负载开关等。
　　在电源管理系统中，它可用于高侧或低侧开关，实现对负载的高效控制。
　　在电池供电设备中，该 MOSFET 可作为负载开关，用于控制电池与负载之间的通断，从而降低待机功耗。
　　此外，FDS6690A-NL 也可用于电机控制电路中，作为 H 桥结构的一部分，实现电机的正反转及调速功能。
　　在 LED 照明系统中，该器件可作为恒流驱动开关，配合 PWM 控制实现亮度调节。
　　同时，它还可用于工业自动化设备、消费类电子产品以及车载电源系统等多个领域。

Si4410BDY-E3-GEVB, IRFZ44N, FDS4410A