时间：2025/9/2 11:27:06
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H27UCG8T2MYR-BC是一款由SK Hynix（海力士）制造的NAND闪存芯片，广泛应用于嵌入式系统、固态硬盘（SSD）、移动设备和存储卡等领域。该芯片属于3D NAND技术，提供高存储密度、更快的读写速度和更高的可靠性。该型号采用BGA封装，适合需要高性能和高耐用性的应用场景。
制造商：SK Hynix
产品类型：NAND闪存
存储容量：8GB
封装类型：BGA
接口类型：ONFI 3.0
电压范围：2.7V - 3.6V
工作温度范围：-40°C至+85°C
工艺技术：3D NAND
数据读取速度：最高可达50MB/s
数据写入速度：最高可达30MB/s
H27UCG8T2MYR-BC NAND闪存芯片具备多项先进的技术特性。首先，它采用3D NAND架构，使存储单元在垂直方向上堆叠，从而显著提高存储密度并降低单位成本。该技术还改善了芯片的耐用性和数据保留能力。其次，该芯片支持高速ONFI 3.0接口，确保在数据读写过程中具有较低的延迟和较高的吞吐量。此外，H27UCG8T2MYR-BC具备宽电压范围（2.7V至3.6V），适应不同电源供应条件，并能在极端温度（-40°C至+85°C）下稳定工作，适用于工业级环境。该芯片还集成了错误校正码（ECC）功能，提高数据传输的可靠性，减少数据丢失的风险。
在可靠性方面，H27UCG8T2MYR-BC支持坏块管理（Bad Block Management）和磨损均衡（Wear Leveling）技术，延长存储设备的使用寿命。此外，BGA封装形式提供了更小的物理尺寸和更稳固的连接性能，适合空间受限的嵌入式应用。总体而言，这款芯片结合了高性能、高可靠性和低功耗设计，是适用于现代存储系统的理想选择。
H27UCG8T2MYR-BC NAND闪存芯片主要应用于嵌入式存储系统、工业级固态硬盘（SSD）、车载电子系统、智能移动设备、物联网（IoT）设备以及消费类电子产品。其高耐用性和宽温度范围特性使其在工业和汽车环境中表现出色。例如，在工业自动化设备中，该芯片可用于存储操作系统和关键数据；在车载信息娱乐系统中，它提供稳定的存储支持；在物联网设备中，其低功耗特性有助于延长设备的电池续航时间。此外，H27UCG8T2MYR-BC还可用于存储卡、U盘和便携式存储设备，满足对高容量和高速度的需求。
H27UCG8T2MXR-BC, H27UCG8T2MYR-BC, H27UCG8T2MTR-BC
