FDS6689S-NL是一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),由Fairchild Semiconductor(现为ON Semiconductor)生产。该器件适用于高频开关应用,具有低导通电阻和快速开关速度的特点,广泛用于电源管理、电机驱动、DC-DC转换器等领域。
FDS6689S-NL采用小型化的SO-8封装形式,便于在空间受限的应用中使用。其主要功能是作为电子开关或放大器,通过控制栅极电压来调节漏极和源极之间的电流流动。
最大漏源电压:60V
最大栅源电压:±20V
持续漏极电流:7.5A
导通电阻(Rds(on)):13mΩ(典型值,在Vgs=10V时)
栅极电荷:10nC(典型值)
输入电容:460pF(典型值)
工作结温范围:-55°C至+150°C
1. 极低的导通电阻,可降低功率损耗并提高系统效率。
2. 快速开关能力,适合高频应用环境。
3. 小型SO-8封装,节省PCB空间。
4. 高雪崩能量能力,增强了器件的鲁棒性。
5. 符合RoHS标准,环保无铅设计。
6. 栅极阈值电压较低,易于驱动,适应各种逻辑电平电路。
1. 开关模式电源(SMPS)中的同步整流器。
2. DC-DC转换器中的功率开关。
3. 电机驱动和负载切换。
4. 电池保护电路。
5. 工业自动化设备中的功率控制。
6. 消费类电子产品中的高效能电源管理模块。
7. LED照明驱动电路。
FDS6689S
FDP5800
IRF7846
AO3400