BM12B-PASS-1-TF 时间：2025/10/11 4:33:38 阅读：24

BM12B-PASS-1-TF是一款由罗姆半导体（ROHM Semiconductor）推出的低功耗、高精度的霍尔效应传感器，广泛应用于需要非接触式检测磁场变化的场景。该器件基于霍尔效应原理工作，能够检测到外部磁场的存在与极性，并输出相应的数字信号。BM12B-PASS-1-TF采用超小型表面贴装封装（如USON或DFN类型），适用于空间受限的便携式电子设备。其设计注重能效和稳定性，具备良好的温度特性和抗噪声能力，能够在复杂电磁环境中可靠运行。该传感器通常用于位置检测、速度测量、接近感应以及电流检测等应用中，尤其适合电池供电设备，因其静态电流极低，有助于延长系统续航时间。此外，该芯片集成了信号调理电路、电压稳压器和开漏输出驱动器，减少了外围元件数量，简化了系统设计。BM12B-PASS-1-TF支持单极或双极磁检测模式，具体取决于后缀版本和内部配置，用户可通过选择合适的磁体配合实现所需的触发与释放点。整体而言，这是一款面向工业控制、消费电子和汽车电子领域的高性能磁传感解决方案。

参数

工作电压范围：2.5V ~ 5.5V
　　静态电流：典型值3.5μA
　　输出类型：开漏输出
　　感应方式：单极/双极可选（依据具体配置）
　　工作温度范围：-40°C ~ +125°C
　　封装形式：USON8（1.6mm x 1.6mm）
　　磁灵敏度：典型Bop = ±3.5mT, Brp = ±2.5mT
　　响应频率：最高可达1kHz
　　电源反接保护：无（需外部保护电路）
　　ESD耐受能力：HBM 4kV以上

特性

BM12B-PASS-1-TF的核心特性之一是其超低功耗设计，使其成为电池供电或能量采集系统的理想选择。在待机状态下，芯片通过内部时钟控制实现间歇性采样，大幅降低平均电流消耗，同时仍能保持快速响应能力。这种节能机制特别适用于智能门锁、可穿戴设备和无线传感器网络中的磁开关检测应用。该芯片内置稳压电路，允许在宽电压范围内稳定工作，提高了系统对电源波动的容忍度。其霍尔元件经过激光修调，确保了高精度和批次一致性，从而在不同环境条件下均能提供可靠的磁检测性能。输出采用开漏结构，便于与各种逻辑电平接口匹配，并支持上拉电阻灵活配置，增强了与其他系统的兼容性。该器件具有优异的温度稳定性，即使在极端温度环境下也能维持稳定的动作点和释放点，避免误触发或漏检现象发生。BM12B-PASS-1-TF还具备较强的抗外部干扰能力，集成滤波电路有效抑制机械振动引起的信号抖动，提升了检测可靠性。封装采用小型化无铅设计，符合RoHS环保标准，适用于自动化贴片生产流程，有利于提高制造效率并降低成本。整体电路设计高度集成，无需外接电容或其他复杂调理电路，进一步缩小PCB面积，适合高密度布局的产品设计。
　　另一个关键优势在于其灵活的磁检测模式配置。BM12B-PASS-1-TF可根据实际应用需求设置为单极检测（仅响应某一极性的磁场）或双极检测（需要交替磁场切换才改变输出状态），适应不同的机械结构设计。例如，在翻盖手机或笔记本电脑中，可用作盖子开合状态检测；在电机控制系统中，则可用于转子位置反馈。此外，该传感器对磁场方向敏感，安装时需注意磁体与芯片感应区域的相对取向以获得最佳性能。由于其非接触式工作方式，不存在机械磨损问题，寿命远高于传统微动开关，显著提升系统长期运行的可靠性。综合来看，BM12B-PASS-1-TF凭借其小尺寸、低功耗、高可靠性和易用性，在现代电子产品中展现出广泛的适用性与竞争优势。