FDS6675是一款N沟道增强型功率MOSFET,采用PDFN3.3-3封装形式。该器件具有低导通电阻(Rds(on))特性,非常适合于便携式设备中的负载开关、同步整流器以及电池供电设备中的DC/DC转换应用。由于其小尺寸和高效能,FDS6675在空间受限的设计中表现优异。
此外,该芯片的高雪崩能力提高了系统的可靠性,能够在过载或短路情况下提供额外的保护。
最大漏源电压:30V
连续漏极电流:4.1A
导通电阻:28mΩ(典型值,Vgs=4.5V时)
栅极电荷:9nC(典型值)
总功耗:410mW
工作温度范围:-55℃至150℃
FDS6675的主要特点是其低导通电阻,这使得它在高频开关应用中能够减少功率损耗并提高效率。同时,它的小型PDFN3.3-3封装使其成为对PCB空间要求严格的理想选择。
此外,该器件具备快速开关速度,减少了开关损耗,并且拥有良好的热稳定性和耐受性,适合长期运行在高温环境下的应用。另外,其低输入电容和栅极阈值电压也简化了驱动电路设计。
FDS6675广泛应用于便携式电子设备领域,如智能手机、平板电脑和笔记本电脑的电源管理单元。它可以作为负载开关用于各种外设接口,例如USB端口的电力传输控制。
同时,在DC/DC转换器中,FDS6675可以用作同步整流器以提升转换效率。此外,它还适用于电池管理系统中的保护电路和充电电路设计。
FDS6670, FDS6672