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FDS6675 发布时间 时间:2025/6/3 9:04:17 查看 阅读:7

FDS6675是一款N沟道增强型功率MOSFET,采用PDFN3.3-3封装形式。该器件具有低导通电阻(Rds(on))特性,非常适合于便携式设备中的负载开关、同步整流器以及电池供电设备中的DC/DC转换应用。由于其小尺寸和高效能,FDS6675在空间受限的设计中表现优异。
  此外,该芯片的高雪崩能力提高了系统的可靠性,能够在过载或短路情况下提供额外的保护。

参数

最大漏源电压:30V
  连续漏极电流:4.1A
  导通电阻:28mΩ(典型值,Vgs=4.5V时)
  栅极电荷:9nC(典型值)
  总功耗:410mW
  工作温度范围:-55℃至150℃

特性

FDS6675的主要特点是其低导通电阻,这使得它在高频开关应用中能够减少功率损耗并提高效率。同时,它的小型PDFN3.3-3封装使其成为对PCB空间要求严格的理想选择。
  此外,该器件具备快速开关速度,减少了开关损耗,并且拥有良好的热稳定性和耐受性,适合长期运行在高温环境下的应用。另外,其低输入电容和栅极阈值电压也简化了驱动电路设计。

应用

FDS6675广泛应用于便携式电子设备领域,如智能手机、平板电脑和笔记本电脑的电源管理单元。它可以作为负载开关用于各种外设接口,例如USB端口的电力传输控制。
  同时,在DC/DC转换器中,FDS6675可以用作同步整流器以提升转换效率。此外,它还适用于电池管理系统中的保护电路和充电电路设计。

替代型号

FDS6670, FDS6672

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FDS6675参数

  • 产品培训模块High Voltage Switches for Power Processing
  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列PowerTrench®
  • FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C11A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C14 毫欧 @ 11A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs42nC @ 5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds3000pF @ 15V
  • 功率 - 最大1W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SOICN
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称FDS6675TR