时间：2025/6/3 9:04:17
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FDS6675是一款N沟道增强型功率MOSFET，采用PDFN3.3-3封装形式。该器件具有低导通电阻（Rds(on)）特性，非常适合于便携式设备中的负载开关、同步整流器以及电池供电设备中的DC/DC转换应用。由于其小尺寸和高效能，FDS6675在空间受限的设计中表现优异。
此外，该芯片的高雪崩能力提高了系统的可靠性，能够在过载或短路情况下提供额外的保护。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：4.1A
导通电阻：28mΩ（典型值，Vgs=4.5V时）
栅极电荷：9nC（典型值）
总功耗：410mW
工作温度范围：-55℃至150℃
FDS6675的主要特点是其低导通电阻，这使得它在高频开关应用中能够减少功率损耗并提高效率。同时，它的小型PDFN3.3-3封装使其成为对PCB空间要求严格的理想选择。
此外，该器件具备快速开关速度，减少了开关损耗，并且拥有良好的热稳定性和耐受性，适合长期运行在高温环境下的应用。另外，其低输入电容和栅极阈值电压也简化了驱动电路设计。
FDS6675广泛应用于便携式电子设备领域，如智能手机、平板电脑和笔记本电脑的电源管理单元。它可以作为负载开关用于各种外设接口，例如USB端口的电力传输控制。
同时，在DC/DC转换器中，FDS6675可以用作同步整流器以提升转换效率。此外，它还适用于电池管理系统中的保护电路和充电电路设计。
FDS6670, FDS6672
