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ZXTN25050DFH 发布时间 时间:2025/7/31 17:22:12 查看 阅读:19

ZXTN25050DFH 是一款由 Diodes 公司(原 Zetex)推出的双 N 沟道增强型 MOSFET,采用先进的 Trench 工艺制造,适用于高效率电源管理应用。该器件封装在小型 DFNP(Dual Flat No-lead Package)封装中,具有良好的热性能和空间节省优势,非常适合用于便携式设备和高性能电源系统。

参数

类型:MOSFET(N沟道)
  漏源电压(VDS):50V
  漏极电流(ID):500mA(每个通道)
  导通电阻(RDS(on)):1.2Ω @ VGS=10V
  栅极电压(VGS):±20V
  工作温度范围:-55°C 至 150°C
  封装类型:DFN(Dual Flat No-lead)
  安装类型:表面贴装
  通道数:2
  功率耗散(PD):300mW

特性

ZXTN25050DFH 采用先进的 Trench MOS 工艺,提供较低的导通电阻和快速开关性能,有助于提高电源转换效率。该器件的双通道设计使其在单一封装内实现两个独立的 MOSFET 功能,节省 PCB 空间并简化电路布局。其低栅极电荷(Qg)特性使得在高频开关应用中损耗更低,同时具备良好的热稳定性。该器件的DFN封装具有优异的散热性能,适用于紧凑型设计和高密度电路布局。
  ZXTN25050DFH 还具备出色的抗雪崩能力和高可靠性,能够在恶劣的工作条件下稳定运行。该器件的栅极驱动电压范围宽广(支持4.5V至20V),兼容多种驱动电路,便于设计和应用。其内部结构优化,降低了寄生电感和电容,从而减少了开关损耗和电磁干扰(EMI)。
  此外,ZXTN25050DFH 具备良好的温度稳定性,能在高负载条件下保持稳定的性能,适用于需要长期稳定运行的电源系统。该器件的设计兼顾了性能与可靠性,是许多中低功率电源管理应用的理想选择。

应用

ZXTN25050DFH 适用于多种电源管理应用,包括但不限于同步整流器、DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统、LED 驱动器、便携式设备电源管理和电机控制电路。其双通道设计也使其在需要并联或冗余设计的系统中表现出色。

替代型号

ZXTN25050DFH 的替代型号包括 ZXMP2010F、DMN61D0LVT 和 BSS138K。这些型号在某些应用中可以作为替代选择,但需根据具体电路设计和性能要求进行评估。

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