时间：2025/7/9 15:56:02
阅读：13
FDS6574A-NL 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用先进的制造工艺，旨在提供高效率和低导通电阻的性能。该器件通常用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动等应用中，其出色的电气特性使其成为高频和高效能设计的理想选择。
该 MOSFET 的封装形式为 SO-8，具有较小的尺寸和良好的散热性能，适合于紧凑型设计。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：12A
导通电阻（Rds(on)）：3.9mΩ（典型值，Vgs=10V）
栅极电荷：18nC（典型值）
输入电容：1300pF（典型值）
工作结温范围：-55℃ 至 +150℃
FDS6574A-NL 具有以下主要特性：
1. 极低的导通电阻，能够有效降低功耗并提高系统效率。
2. 高速开关能力，适合高频应用环境。
3. 小巧的 SO-8 封装设计，便于在有限空间内进行布局。
4. 较高的雪崩耐量能力，增强了器件的可靠性和鲁棒性。
5. 符合 RoHS 标准，满足环保要求。
这款功率 MOSFET 适用于多种应用场景，包括但不限于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流器。
2. DC-DC 转换器中的主开关或同步整流开关。
3. 电机驱动电路中的功率级控制。
4. 电池管理系统的充放电保护。
5. 各种工业自动化设备中的功率控制模块。
FDS6574AN, FDS6574NL, IRF6574
