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FDS5670 发布时间 时间:2025/7/1 7:12:45 查看 阅读:12

FDS5670是一款由Fairchild(现为ON Semiconductor)生产的N沟道增强型MOSFET。该器件采用TO-263封装形式,适用于需要高效功率转换和低导通电阻的应用场景。其主要特点是具有较低的导通电阻(Rds(on)),有助于减少功率损耗并提高整体效率。
  FDS5670在开关电源、电机驱动、DC-DC转换器以及负载切换等应用中表现出色,适合高电流和高频工作条件。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:49A
  导通电阻:1.8mΩ
  栅极电荷:11nC
  总电容:265pF
  工作温度范围:-55℃至150℃

特性

FDS5670具有以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),仅为1.8mΩ,确保了高效的功率传输和更低的发热量。
  2. 高额定电流(49A),能够支持大功率应用场景。
  3. 快速开关能力,得益于较小的栅极电荷(11nC),可有效降低开关损耗。
  4. 优秀的热性能,能够在较宽的工作温度范围内稳定运行。
  5. TO-263封装设计,便于安装和散热管理。
  这些特点使FDS5670成为高性能功率转换和电机控制的理想选择。

应用

FDS5670广泛应用于以下领域:
  1. 开关模式电源(SMPS)中的功率级开关。
  2. DC-DC转换器,用于提升转换效率。
  3. 电机驱动电路,实现高效的电机控制。
  4. 负载切换应用,提供快速响应和低功耗。
  5. 各种工业设备中的功率管理模块。
  由于其低导通电阻和高电流处理能力,该器件特别适合需要高效率和可靠性的电力电子系统。

替代型号

FDP5600
  IRF540N
  STP55NF06L

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FDS5670参数

  • 产品培训模块High Voltage Switches for Power Processing
  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列PowerTrench®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)60V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C10A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C14 毫欧 @ 10A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs70nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds2900pF @ 15V
  • 功率 - 最大1W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SOICN
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称FDS5670TR