FDS4835BZ 时间：2025/8/24 18:50:22 阅读：4

FDS4835BZ 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的高性能双通道 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）器件，专为高效功率开关应用而设计。该器件采用先进的 PowerTrench? 技术，具有低导通电阻（Rds(on)）和优异的热性能，适用于需要高效率和紧凑设计的电源管理系统。

参数

类型：双通道 MOSFET（N沟道）
　　最大漏极电流（Id）：6.0A
　　最大漏源电压（Vds）：30V
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）@ Vgs=10V：16mΩ（最大）
　　导通电阻（Rds(on)）@ Vgs=4.5V：22mΩ（最大）
　　封装形式：SO-8（表面贴装）

特性

FDS4835BZ 的核心优势在于其采用 PowerTrench? 技术，这种技术能够显著降低导通电阻，从而减少功率损耗，提高系统效率。此外，该器件的双通道设计允许在一个封装中集成两个独立的 MOSFET，节省了 PCB 空间，提高了设计灵活性。其低栅极电荷（Qg）特性有助于降低开关损耗，从而在高频开关应用中实现更高的效率。
　　该器件还具备出色的热性能，能够在高电流和高温环境下稳定工作。FDS4835BZ 的 SO-8 封装形式支持表面贴装工艺，适用于自动化生产流程，提升了制造效率和可靠性。此外，该 MOSFET 支持宽范围的栅极驱动电压（4.5V 至 20V），兼容多种控制电路，适用于多种应用场景。

应用

FDS4835BZ 广泛应用于需要高效功率控制的电子设备中。典型应用包括同步整流器、DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统（BMS）、电机驱动器以及便携式电子设备的电源管理模块。在服务器和通信设备的电源系统中，该器件也常用于优化功率传输效率和减小电源模块体积。此外，FDS4835BZ 还适用于汽车电子系统中的功率管理，如车载充电器、电动助力转向系统（EPS）和车身控制模块。