FN03B221K250PLG 是一款由 Fairchild(现为 ON Semiconductor)生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用先进的工艺制造,具有较低的导通电阻和较高的开关速度,适用于多种高效率功率转换应用。FN03B221K250PLG 通常用于电源管理、电机驱动、DC-DC 转换器以及其他需要高效功率控制的场合。
其封装形式为符合行业标准的 PLG 封装,能够提供良好的散热性能和电气连接可靠性。此外,该器件支持较高的工作电压,并具备出色的电流承载能力,使其成为工业及消费电子领域中广泛应用的理想选择。
型号:FN03B221K250PLG
类型:N 沟道增强型 MOSFET
Vds(漏源极击穿电压):250V
Rds(on)(导通电阻):220mΩ(典型值,@ Vgs=10V)
Id(连续漏极电流):14A(@ Tc=25℃)
Pd(最大功耗):18W(@ Tc=25℃)
Vgs(栅源极电压):±20V
f(工作频率):1MHz
封装:PLG
工作温度范围:-55℃ 至 +150℃
FN03B221K250PLG 的主要特性包括:
1. 高击穿电压(250V),能够在高压环境下稳定运行。
2. 较低的导通电阻(220mΩ 典型值),有助于降低传导损耗并提高系统效率。
3. 快速开关速度,适合高频功率转换应用。
4. 支持高达 14A 的连续漏极电流,在重载条件下表现优异。
5. 宽泛的工作温度范围(-55℃ 至 +150℃),确保在极端环境下的可靠性。
6. 符合 RoHS 标准,满足环保要求。
7. 内置静电保护功能,提升整体耐用性。
FN03B221K250PLG 广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)设计中的功率开关。
2. DC-DC 转换器,如降压或升压电路。
3. 电机驱动和控制电路,用于家用电器、工业设备等。
4. 负载开关和保护电路,用于电池管理系统。
5. 电信和网络设备中的功率管理模块。
6. 太阳能逆变器和其他可再生能源系统的功率转换部分。
7. LED 驱动器和背光解决方案。
IRFZ44N, FDP18N25C, STP14NF06L