时间：2025/12/25 6:11:05
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FDS4685-NF074 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）制造的 N 沟道 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理和开关电路中。该器件采用先进的封装技术，具有良好的热性能和高可靠性，适用于各种高性能电子设备。
类型：N 沟道 MOSFET
最大漏极电流（ID）：6.9A
最大漏源电压（VDS）：30V
最大栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：22mΩ @ VGS=10V
功率耗散：2.5W
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装类型：SOIC-8
FDS4685-NF074 具有低导通电阻，这使得它在高电流应用中表现出色，能够有效降低功率损耗并提高效率。该器件的高耐压特性使其能够在较宽的电压范围内稳定工作，适用于多种电源管理场景。
此外，FDS4685-NF074 采用 SOIC-8 封装，具有良好的散热性能和紧凑的尺寸，适合在空间受限的电路设计中使用。其高可靠性使其在工业控制、通信设备和消费类电子产品中得到广泛应用。
该 MOSFET 还具有快速开关特性，能够满足高频应用的需求，减少开关损耗并提高系统效率。其栅极驱动特性也经过优化，可以在较低的栅极电压下实现良好的性能，适用于多种驱动电路设计。
FDS4685-NF074 主要用于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统以及各种高电流开关应用。其低导通电阻和高耐压特性使其在工业自动化设备、通信电源、便携式电子设备和汽车电子系统中得到了广泛应用。
FDS4685
