类型：N沟道
　　漏源电压（Vds）：500V
　　栅源电压（Vgs）：±30V
　　连续漏极电流（Id）：15A
　　功耗（Pd）：125W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围：-55°C ~ +150°C
　　导通电阻（Rds(on)）：0.45Ω
　　封装类型：TO-220

BFAP58具有优异的导通性能和快速开关特性，适合用于高频率开关应用。其低导通电阻（Rds(on)）可以显著降低导通损耗，提高系统效率。此外，该MOSFET具备良好的热稳定性，能够在高温环境下可靠运行，适用于要求高可靠性的电源系统。
　　该器件采用先进的平面工艺制造，具有优良的雪崩能量吸收能力，确保在异常工作条件下仍能保持稳定运行。BFAP58的栅极设计优化了开关速度和驱动损耗之间的平衡，减少了开关过程中的能量损耗。
　　在封装方面，TO-220封装形式不仅提供了良好的散热性能，还便于安装和散热片连接，适用于中高功率应用场景。该封装也具有较高的机械强度和良好的电气绝缘性能，确保了器件的稳定性和安全性。

BFAP58广泛应用于各类电源转换系统中，如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、逆变器、马达驱动器以及工业自动化控制系统。其高耐压和大电流能力使其特别适合用于需要高压输入和高效率输出的电源设备中。此外，BFAP58也可用于照明系统、UPS（不间断电源）和消费类电子产品中的功率开关控制。
　　在汽车电子领域，BFAP58可用于车载充电器、DC-AC逆变器和车身控制模块等应用。其良好的热稳定性和抗干扰能力使其在恶劣的汽车环境中表现出色。在工业控制方面，该器件可用于PLC（可编程逻辑控制器）、继电器驱动电路和电机控制模块中，确保系统的高效运行和长期稳定性。

STP16NF50, IRFZ44N, FDPF5N50