时间：2025/5/30 10:45:21
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FDS4470-NL 是一款N沟道增强型功率MOSFET，采用先进的半导体工艺制造，具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能。该器件广泛应用于消费类电子、通信设备及工业控制等领域中的电源管理电路和负载切换应用。
其小型化的封装形式有助于减少PCB空间占用，并提供卓越的电气性能。
最大漏源电压：30V
最大栅源电压：±8V
连续漏极电流：15A
导通电阻：2.6mΩ
栅极电荷：9nC
开关时间：ton=10ns, toff=12ns
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
FDS4470-NL拥有超低的导通电阻，从而显著降低了传导损耗，在高频开关应用中提高了效率。此外，其快速的开关特性使其非常适合DC-DC转换器、同步整流以及电机驱动等场景。
该器件还具备良好的雪崩能力和静电防护设计，确保在恶劣环境下的可靠性。
FDS4470-NL采用了LFPAK56（PowerSO-8）封装，这种封装不仅提供了优秀的散热路径，同时支持自动化表面贴装生产流程。
该芯片适用于笔记本电脑和手机充电器中的开关电源电路、电池保护电路、固态硬盘(SSD)内的负载开关、LED照明驱动电路、电信设备中的DC-DC转换模块以及各类便携式电子产品的电源管理系统。
由于其出色的效率表现与紧凑型封装设计，FDS4470-NL成为众多对空间敏感且追求高性能的应用的理想选择。
FDS4471-NL, FDS4472-NL, IRF7719
