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FDS3672 发布时间 时间:2025/6/29 4:41:53 查看 阅读:7

FDS3672是一款由Fairchild(现为ON Semiconductor)生产的N沟道增强型MOSFET。该器件采用了先进的工艺技术,具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能,适用于多种功率转换和电机驱动应用。
  这款MOSFET的额定电压为30V,非常适合低压系统中的功率管理任务。其低导通电阻使得它在高电流应用中能够有效降低功耗,提高效率。

参数

类型:N沟道增强型MOSFET
  额定电压(Vds):30V
  额定电流(Id):49A
  导通电阻(Rds(on)):1.8mΩ (典型值,在Vgs=10V时)
  栅极电荷(Qg):15nC (最大值)
  输入电容(Ciss):1450pF (典型值)
  连续漏极电流:49A (Tc=25℃时)
  脉冲漏极电流:123A (t=10μs, Duty Cycle=1%)
  工作结温范围:-55℃至+150℃

特性

FDS3672的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻Rds(on),有助于减少传导损耗并提升整体效率。
  2. 高电流承载能力,适合大功率应用。
  3. 快速开关性能,可满足高频开关电源的需求。
  4. 小巧的封装形式,易于集成到紧凑的设计中。
  5. 符合RoHS标准,环保且可靠。
  6. 具备良好的雪崩能力和耐用性,确保在异常条件下仍能稳定工作。

应用

FDS3672广泛应用于以下领域:
  1. 开关模式电源(SMPS)中的同步整流。
  2. DC-DC转换器和降压/升压转换器。
  3. 消费类电子设备中的负载开关。
  4. 电动工具和家用电器的电机驱动。
  5. 工业自动化设备中的功率控制。
  6. 照明系统中的LED驱动电路。
  7. 电池保护和管理系统中的电流控制元件。

替代型号

FDP5500N
  FDS5970
  IRLZ44N

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FDS3672参数

  • 产品培训模块High Voltage Switches for Power Processing
  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列PowerTrench®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)100V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C7.5A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C23 毫欧 @ 7.5A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs37nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds2015pF @ 25V
  • 功率 - 最大2.5W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SOICN
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称FDS3672TR