FDS3672是一款由Fairchild(现为ON Semiconductor)生产的N沟道增强型MOSFET。该器件采用了先进的工艺技术,具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能,适用于多种功率转换和电机驱动应用。
这款MOSFET的额定电压为30V,非常适合低压系统中的功率管理任务。其低导通电阻使得它在高电流应用中能够有效降低功耗,提高效率。
类型:N沟道增强型MOSFET
额定电压(Vds):30V
额定电流(Id):49A
导通电阻(Rds(on)):1.8mΩ (典型值,在Vgs=10V时)
栅极电荷(Qg):15nC (最大值)
输入电容(Ciss):1450pF (典型值)
连续漏极电流:49A (Tc=25℃时)
脉冲漏极电流:123A (t=10μs, Duty Cycle=1%)
工作结温范围:-55℃至+150℃
FDS3672的主要特性包括:
1. 极低的导通电阻Rds(on),有助于减少传导损耗并提升整体效率。
2. 高电流承载能力,适合大功率应用。
3. 快速开关性能,可满足高频开关电源的需求。
4. 小巧的封装形式,易于集成到紧凑的设计中。
5. 符合RoHS标准,环保且可靠。
6. 具备良好的雪崩能力和耐用性,确保在异常条件下仍能稳定工作。
FDS3672广泛应用于以下领域:
1. 开关模式电源(SMPS)中的同步整流。
2. DC-DC转换器和降压/升压转换器。
3. 消费类电子设备中的负载开关。
4. 电动工具和家用电器的电机驱动。
5. 工业自动化设备中的功率控制。
6. 照明系统中的LED驱动电路。
7. 电池保护和管理系统中的电流控制元件。
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