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FDR840P 发布时间 时间:2025/7/1 8:24:50 查看 阅读:3

FDR840P是一种N沟道增强型功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。它通常用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器以及其他需要高效开关和低导通损耗的应用场景。该器件采用了先进的制造工艺,具有较低的导通电阻和较高的电流承载能力,从而提升了系统的整体效率。
  FDR840P封装为TO-252(DPAK),适合表面贴装技术(SMT)应用,能够在紧凑的空间内提供高性能表现。

参数

最大漏源电压:60V
  最大栅源电压:±20V
  连续漏极电流:13.9A
  导通电阻(典型值):40mΩ
  栅极电荷:13nC
  输入电容:1380pF
  工作温度范围:-55℃ to +175℃

特性

FDR840P具有以下关键特性:
  1. 高效开关性能:其较低的导通电阻使得在高频开关条件下能够减少功耗。
  2. 热稳定性强:支持高达+175℃的工作温度,非常适合高温环境下的应用。
  3. 快速开关速度:通过优化的栅极电荷设计,确保快速的开启和关闭时间,减少开关损耗。
  4. 小型化封装:TO-252封装形式有助于节省PCB空间,并支持自动化生产流程。
  5. 符合RoHS标准:无铅且环保,满足现代电子产品的环保要求。
  6. 抗雪崩能力:具备良好的抗雪崩能量特性,增强了器件的可靠性和耐用性。

应用

FDR840P广泛应用于各种领域:
  1. 开关模式电源(SMPS)
  2. DC-DC转换器
  3. 电机控制与驱动
  4. 电池管理系统(BMS)
  5. 工业自动化设备
  6. 汽车电子中的负载开关及保护电路
  7. LED驱动器和其他功率管理应用

替代型号

IRLZ44N
  FDP5500
  STP16NF06L

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FDR840P参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C10A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C12 毫欧 @ 10A,4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)1.5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs60nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds4481pF @ 10V
  • 功率 - 最大900mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SSOT,SuperSOT-8
  • 供应商设备封装8-SSOT
  • 包装带卷 (TR)