时间：2025/7/1 8:24:50
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FDR840P是一种N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。它通常用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器以及其他需要高效开关和低导通损耗的应用场景。该器件采用了先进的制造工艺，具有较低的导通电阻和较高的电流承载能力，从而提升了系统的整体效率。
FDR840P封装为TO-252（DPAK），适合表面贴装技术（SMT）应用，能够在紧凑的空间内提供高性能表现。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：13.9A
导通电阻（典型值）：40mΩ
栅极电荷：13nC
输入电容：1380pF
工作温度范围：-55℃ to +175℃
FDR840P具有以下关键特性：
1. 高效开关性能：其较低的导通电阻使得在高频开关条件下能够减少功耗。
2. 热稳定性强：支持高达+175℃的工作温度，非常适合高温环境下的应用。
3. 快速开关速度：通过优化的栅极电荷设计，确保快速的开启和关闭时间，减少开关损耗。
4. 小型化封装：TO-252封装形式有助于节省PCB空间，并支持自动化生产流程。
5. 符合RoHS标准：无铅且环保，满足现代电子产品的环保要求。
6. 抗雪崩能力：具备良好的抗雪崩能量特性，增强了器件的可靠性和耐用性。
FDR840P广泛应用于各种领域：
1. 开关模式电源（SMPS）
2. DC-DC转换器
3. 电机控制与驱动
4. 电池管理系统（BMS）
5. 工业自动化设备
6. 汽车电子中的负载开关及保护电路
7. LED驱动器和其他功率管理应用
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