时间：2025/6/12 1:20:21
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GA0805Y682MXCBP31G是一款基于氮化镓（GaN）技术的高效功率晶体管，专为高频、高效率的应用场景设计。该器件采用了先进的封装技术，能够提供卓越的热性能和电气特性，适用于开关电源、DC-DC转换器、无线充电以及电机驱动等应用领域。
其核心优势在于氮化镓材料带来的低导通电阻、快速开关特性和高温工作能力，从而实现更高的功率密度和系统效率。
型号：GA0805Y682MXCBP31G
类型：GaN HEMT
最大漏源电压(Vds)：650V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：8A
导通电阻(Rds(on))：160mΩ（典型值，25°C时）
输入电容(Ciss)：1450pF
输出电容(Coss)：45pF
反向传输电容(Crss)：17pF
开关速度：高达5MHz
结温范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：TO-247-4L
1. 采用氮化镓(GaN)技术，具有超低的导通电阻和快速开关特性，适合高频应用。
2. 高耐压能力（650V），可应对宽范围的输入电压环境。
3. 内置ESD保护功能，增强器件的可靠性和抗干扰能力。
4. 支持高频操作，显著减少磁性元件的体积和重量，提升功率密度。
5. 优异的热性能，能够在高温环境下稳定运行。
6. 封装兼容性强，易于集成到现有设计中。
1. 开关电源(SMPS)，如服务器电源、工业电源和通信电源。
2. DC-DC转换器，包括电动汽车充电桩和光伏逆变器中的应用。
3. 无线充电设备，用于提高充电效率和缩小产品尺寸。
4. 电机驱动控制，特别适用于需要高频响应的场景。
5. LED驱动器和其他高效能电力电子设备。
GAN08065-04L, GS66508B, EPC2016C
