时间：2025/5/12 15:48:03
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FDR838P 是一款 N 沟道增强型功率场效应晶体管（MOSFET），广泛应用于电源管理、电机驱动以及开关电路等领域。该器件采用 TO-252 封装形式，具有低导通电阻和高效率的特点，适用于多种中低压场景。
其设计结合了先进的制造工艺，确保了在高频开关应用中的优异性能。此外，FDR838P 还具备良好的热稳定性和可靠性，适合长时间连续工作。
漏源电压(Vds)：60V
栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：7.1A
导通电阻(Rds(on))：0.13Ω（典型值，在 Vgs=10V 时）
总功耗(Ptot)：2.4W
结温范围(Tj)：-55℃ 至 +150℃
封装形式：TO-252
FDR838P 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻 Rds(on)，有助于减少功率损耗并提高整体效率。
2. 高速开关能力，能够满足高频应用的需求。
3. 较宽的工作电压范围，适应性更强。
4. 热稳定性好，能够在较宽的温度范围内可靠运行。
5. 符合 RoHS 标准，环保且安全。
6. 小巧的封装设计节省了 PCB 空间，同时保持了较高的电气性能。
这些特点使得 FDR838P 成为许多现代电子设备的理想选择。
FDR838P 的典型应用场景包括：
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流器。
2. 直流电机驱动电路中的功率开关。
3. LED 驱动电路中的负载控制。
4. 电池管理系统（BMS）中的保护电路。
5. 各类消费电子产品中的负载切换。
由于其出色的性能和可靠性，这款 MOSFET 在工业控制、家用电器及汽车电子等领域也得到了广泛应用。
FQP17N06L, IRLZ44N, AO3400
