型号：FDPF2N60C
　　类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：650V
　　最大栅源电压（VGS）：±30V
　　连续漏极电流（ID）：2.1A（@25℃）
　　脉冲漏极电流（IDM）：8.4A
　　导通电阻（RDS(on)）：3.3Ω（@VGS=10V）
　　阈值电压（VGS(th)）：3.0V ~ 4.5V
　　输入电容（Ciss）：590pF（@VDS=25V）
　　输出电容（Coss）：110pF（@VDS=25V）
　　反向恢复时间（trr）：280ns
　　最大功耗（PD）：50W
　　工作结温范围（TJ）：-55℃ ~ +150℃
　　封装形式：TO-220FP

FDPF2N60C采用了安森美的Super Junction（超级结）技术，这一创新结构显著改善了传统MOSFET在高电压应用中的性能瓶颈。超级结结构通过交替排列P型和N型柱状区域，打破了传统漂移区的电场分布限制，使得器件在维持650V高击穿电压的同时，大幅降低导通电阻RDS(on)，从而减少导通损耗，提升系统效率。该特性特别适用于高频率开关电源设计，如PFC升压转换器，其中低RDS(on)有助于减少能量损失并降低温升，延长系统寿命。
　　该器件具备出色的开关特性，包括较低的输入和输出电容（Ciss和Coss），这直接降低了驱动损耗并加快了开关速度。同时，其反向恢复时间（trr）控制在280ns以内，表明其体二极管具有较快的恢复能力，可有效减少在硬开关条件下产生的电压尖峰和电磁干扰（EMI），提高系统的稳定性和安全性。这对于连续导通模式（CCM）PFC电路尤为重要，因为在此模式下MOSFET体二极管会频繁导通和关断。
　　热性能方面，FDPF2N60C采用TO-220FP封装，具有较大的金属背板面积，便于安装散热器，有效传导热量至外部环境。该封装在保证电气隔离的同时提供了良好的热阻特性（RθJC ≈ 2.5°C/W），确保器件在高负载条件下仍能稳定运行。此外，器件的工作结温可达+150°C，并具备过温保护设计兼容性，适合严苛工业环境使用。
　　从可靠性角度看，FDPF2N60C经过严格测试，具备优异的抗雪崩能力，能够承受一定程度的能量冲击而不损坏，增强了系统在异常工况（如短路或雷击）下的鲁棒性。其栅氧层设计也提升了对静电放电（ESD）和电压瞬变的耐受力，进一步保障长期运行的稳定性。

FDPF2N60C广泛应用于各类中等功率的高电压开关电源系统中，尤其是在需要高效率和高可靠性的场合。一个典型的应用是作为有源功率因数校正（PFC）电路中的主开关器件，特别是在连续导通模式（CCM）PFC拓扑中，它能够高效地处理数百瓦级别的功率转换任务，广泛用于台式电脑电源、服务器电源、工业电源模块等设备中。
　　在LED照明驱动电源领域，FDPF2N60C被用于构建非隔离或隔离式恒流源电路，其高耐压和低导通损耗特性有助于实现高光效和长寿命的照明解决方案，适用于商业和户外LED灯具。
　　此外，该器件也常见于反激式（Flyback）和半桥式（Half-Bridge）开关电源拓扑中，作为主开关管使用，服务于家电、消费电子和工业控制设备中的离线式电源设计。由于其具备良好的动态响应和热稳定性，FDPF2N60C也可用于待机电源（Standby Supply）设计，在主电源关闭时仍能提供稳定的小功率输出，满足现代电子产品对低待机功耗的要求。
　　在适配器和充电器应用中，尤其是笔记本电脑、显示器和网络设备的外置电源适配器中，FDPF2N60C凭借其紧凑封装和高效性能，成为设计师优选的高压MOSFET之一。同时，其符合RoHS标准且不含铅的设计也使其适用于环保要求较高的市场和地区。

FQP2N60C
　　KSP2N60C
　　STP2N60M2
　　IPD2N60S