时间：2025/8/28 20:10:32
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BUK765R2-100E是一款由Nexperia（原飞利浦半导体部门）制造的N沟道增强型功率MOSFET，采用先进的Trench肖特基技术，具有低导通电阻和高效率的特性。该器件适用于各种高功率和高频应用，具有良好的热稳定性和耐用性。其主要特点是低RDS(on)、高雪崩能量耐受能力以及快速恢复的体二极管。
类型：N沟道
漏源电压(VDS)：100V
漏极电流(ID)：140A（连续）
RDS(on)：1.75mΩ（最大值）
栅极电荷(Qg)：160nC
封装类型：TO-220
工作温度范围：-55°C至175°C
技术：Trench肖特基MOSFET
BUK765R2-100E的主要特性包括其极低的导通电阻（RDS(on)），使其在高电流应用中具有极低的功率损耗。该器件采用Trench肖特基技术，提升了导通性能并降低了开关损耗，从而提高了整体效率。此外，其高雪崩能量耐受能力确保了在极端条件下的可靠性。
这款MOSFET还具有快速恢复的体二极管，适用于需要快速切换的应用，如同步整流和电机控制。TO-220封装提供了良好的散热性能，适用于高功率密度设计。该器件符合RoHS标准，适用于各种环保应用。
在热管理方面，BUK765R2-100E具备优异的热阻性能，能够在高温环境下稳定运行。其宽泛的工作温度范围（-55°C至175°C）使其适用于恶劣环境条件下的工业和汽车应用。
BUK765R2-100E广泛应用于电源转换器、DC-DC转换器、电机驱动、电池管理系统、电动工具、太阳能逆变器以及汽车电子系统等领域。其高效率和高可靠性的特性使其成为工业自动化设备和新能源系统中的理想选择。该器件也常用于高功率负载开关和电源管理模块的设计。
IPB180N10N3 G
IRF3710
STP150N10F7AG
