型号：B8552
　　通道类型：双通道半桥驱动器
　　驱动方式：高低边独立驱动，支持自举供电
　　输入逻辑兼容性：TTL/CMOS兼容
　　工作电压范围（VDD）：10V ~ 20V
　　峰值输出电流：±0.5A（典型值）
　　高边侧耐压（VBST-VS）：最高可达25V
　　传播延迟时间：约200ns（典型值）
　　上升/下降时间：约30ns / 25ns（1000pF负载下）
　　静态电流：＜5mA（典型值）
　　工作温度范围：-40°C ~ +125°C
　　关断电流（IN=0V）：＜200μA
　　输出源电流/灌电流能力：500mA源电流 / 500mA灌电流
　　隔离电压：＞1500Vrms（封装特性，依具体型号而定）
　　封装形式：SOP-8、DIP-8等

B8552的核心特性之一是其双通道半桥驱动架构，包含一个高边驱动通道和一个低边驱动通道，每个通道均可独立控制，适用于推挽式、半桥及LLC谐振变换器等拓扑结构。这种设计允许用户通过外部PWM信号精确控制上下管的导通时序，避免直通现象的发生。芯片内部集成了电平移位电路，使得低边逻辑信号能够高效传递至高边驱动端，确保高边MOSFET在浮动电源条件下正常工作。同时，B8552采用自举二极管+电容的供电方式，极大简化了高边电源的设计复杂度，无需额外提供独立的高压偏置电源。
　　另一个显著特点是其强大的抗干扰能力和高噪声免疫力。B8552在输入端设置了施密特触发器结构，增强了对输入信号的整形能力，有效抑制因线路感应或地弹引起的误触发问题。即使在快速开关瞬态过程中产生的高dV/dt噪声环境下，也能保证驱动信号的稳定传输。此外，芯片具备完善的欠压锁定（UVLO）保护机制，当VDD电压低于设定阈值时，会自动关闭输出级，防止MOSFET因驱动不足而导致的非饱和导通，从而避免过热损坏。
　　B8552还具备逻辑互锁功能，即当两个输入引脚同时为高电平时，内部控制逻辑会强制将两个输出置低，防止上下管同时导通造成短路事故。这一功能显著提升了系统的安全性与可靠性。其输出级采用图腾柱结构，具备快速充放电能力，能够在纳秒级时间内完成MOSFET栅极电荷的注入与抽取，提升开关速度，降低开关损耗。同时，该芯片具有较低的静态功耗，适合长时间连续工作的应用场景。整体而言，B8552在性能、可靠性与成本之间实现了良好平衡，是一款成熟且广泛应用的国产半桥驱动IC。

B8552广泛应用于各类需要半桥拓扑结构的功率转换系统中。在开关电源领域，常用于反激式、正激式以及LLC谐振变换器的次级同步整流驱动或初级半桥控制，尤其在中小功率AC-DC适配器、充电器和机顶盒电源中表现优异。其高集成度和稳定性使其成为替代传统分立元件驱动方案的理想选择。
　　在LED恒流驱动电源中，B8552被广泛用于隔离型或非隔离型升降压拓扑结构中，作为MOSFET的驱动核心，配合主控芯片实现高效率、高功率因数的调光与调光控制。由于其具备良好的温度适应性，可在高温环境下长期稳定运行，因此适用于户外LED路灯、工业照明等严苛环境。
　　在电机驱动方面，B8552可用于小功率直流无刷电机（BLDC）或步进电机的相位驱动电路中，尤其是在风机、水泵、家用电器等低成本电机控制系统中。虽然其驱动能力有限，但对于几十瓦以内的电机应用已足够胜任。
　　此外，B8552也常见于逆变电源、UPS不间断电源、太阳能微逆变器等新能源设备中，用于DC-AC转换环节的功率开关驱动。得益于其国产化优势，供应链稳定，价格低廉，且技术支持完善，已成为许多本土电源厂商的首选驱动IC之一。

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