FDPF15N60C是一款N沟道增强型功率MOSFET,由安森美半导体(ON Semiconductor)生产,适用于高电压和高电流应用。这款MOSFET具有低导通电阻和高开关速度,适用于各种电力电子设备。其600V的漏源电压等级使其适合用于高压系统。
类型:N沟道增强型MOSFET
漏源电压(VDS):600V
栅源电压(VGS):±30V
最大漏极电流(ID):15A
导通电阻(RDS(on)):0.44Ω(最大)
功率耗散(PD):125W
工作温度范围:-55°C至150°C
封装类型:TO-220
FDPF15N60C的主要特性包括低导通电阻,这有助于减少功率损耗并提高效率。该器件还具有高雪崩能量耐受能力,使其在高压环境中更加稳定。此外,它具有快速开关特性,减少了开关损耗,并且能够在高温条件下正常工作。其耐用的封装设计确保了良好的热管理和机械稳定性。这些特性使其非常适合用于需要高可靠性和高性能的功率转换应用。
FDPF15N60C常用于电源转换器、马达控制器、充电器、电源供应器以及各种工业和消费类电子设备中的功率开关。它也适用于高电压应用,如太阳能逆变器、LED照明系统以及电动汽车充电设备。
FDPF15N60C的替代型号包括STP15NK60Z(STMicroelectronics)、IRFPC50(Infineon)和FQA16N60C(Fairchild Semiconductor)。