时间：2025/8/25 1:01:13
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FDPF15N60C是一款N沟道增强型功率MOSFET，由安森美半导体（ON Semiconductor）生产，适用于高电压和高电流应用。这款MOSFET具有低导通电阻和高开关速度，适用于各种电力电子设备。其600V的漏源电压等级使其适合用于高压系统。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压（VDS）：600V
栅源电压（VGS）：±30V
最大漏极电流（ID）：15A
导通电阻（RDS(on)）：0.44Ω（最大）
功率耗散（PD）：125W
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：TO-220
FDPF15N60C的主要特性包括低导通电阻，这有助于减少功率损耗并提高效率。该器件还具有高雪崩能量耐受能力，使其在高压环境中更加稳定。此外，它具有快速开关特性，减少了开关损耗，并且能够在高温条件下正常工作。其耐用的封装设计确保了良好的热管理和机械稳定性。这些特性使其非常适合用于需要高可靠性和高性能的功率转换应用。
FDPF15N60C常用于电源转换器、马达控制器、充电器、电源供应器以及各种工业和消费类电子设备中的功率开关。它也适用于高电压应用，如太阳能逆变器、LED照明系统以及电动汽车充电设备。
FDPF15N60C的替代型号包括STP15NK60Z（STMicroelectronics）、IRFPC50（Infineon）和FQA16N60C（Fairchild Semiconductor）。
