时间：2025/7/31 19:12:52
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CY7C2665KV18是一款由Cypress Semiconductor（现为Infineon Technologies）推出的高速静态随机存取存储器（SRAM），属于异步SRAM产品系列。该器件设计用于高性能数据存储和缓存应用，适用于通信设备、工业控制系统、网络基础设施以及高端消费电子产品。该SRAM具有高可靠性和低功耗特性，支持宽温度范围，适用于工业级工作环境。
类型：异步SRAM
容量：18Mb（1M x 18）
电源电压：1.7V - 3.6V
访问时间：4.5ns（最大）
工作温度范围：-40°C至+85°C
封装类型：FBGA、TSOP
数据总线宽度：18位
最大时钟频率：无（异步）
封装引脚数：54/60
读写周期时间：10ns
CY7C2665KV18 SRAM芯片具备高性能与低功耗特性，适用于对速度和稳定性有高要求的应用场景。其异步设计使其在没有时钟信号的情况下运行，简化了系统设计并减少了时钟相关的复杂性。该芯片采用先进的CMOS技术，提供高速访问时间（低至4.5ns），确保系统在高频操作下仍能保持稳定。此外，它支持低电压运行（1.7V至3.6V），有助于降低功耗并提高能效。该芯片还具备宽温度范围特性，可在-40°C至+85°C的工业级温度范围内稳定工作，适合工业和通信设备使用。CY7C2665KV18提供多种封装选项，包括54引脚和60引脚的FBGA和TSOP封装，便于根据PCB布局和散热需求进行灵活设计。此外，该芯片还支持数据保持模式，可在低功耗状态下保持数据完整性，适用于需要长时间数据存储的系统。其高可靠性设计也使其成为航空航天、军事和工业自动化等关键系统中的理想选择。
CY7C2665KV18 SRAM芯片广泛应用于需要高速存储和数据缓存的嵌入式系统和高性能计算设备。典型应用包括网络交换机和路由器的缓存存储、工业控制系统的数据缓冲、通信设备中的高速缓存、图像处理系统的帧缓存、测试与测量设备的临时存储，以及高性能嵌入式处理器的本地存储。此外，该芯片还可用于需要高稳定性和宽温度范围工作的车载电子系统和自动化控制设备中。
IS61WV102418BLL-10BLLI、CY7C2665KV18-45BGC、CY7C2665KV18-45BZI、CY7C2662KV18
